| 探针台 |
2020-02-10 14:53 |
失效分析前样品需要做哪些准备工作?
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l; 失效分析 赵工 半导体元器件失效分析可靠性测试 1月6日 7.akp 失效分析样品准备: YHCXVu<.b 失效分析是芯片测试重要环节,无论对于量产样品还是设计环节亦或是客退品,失效分析可以帮助降低成本,缩短周期。 =a7m^e7 常见的失效分析方法有Decap,X-RAY,IV,EMMI,FIB,SEM,EDX,Probe,OM,RIE等,因为失效分析设备昂贵,大部分需求单位配不了或配不齐需要的设备,因此借用外力,使用对外开放的资源,来完成自己的分析也是一种很好的选择。我们选择去外面测试时需要准备的信息有哪些呢?下面为大家整理一下: $?I^Dk 一、decap:写清样品尺寸,数量,封装形式,材质,开封要求(若在pcb板上,最好提前拆下,pcb板子面较大有突起,会影响对芯片的保护)后续试验。 0.&gm@A~c$ 1.IC开封(正面/背面) QFP, QFN, SOT,TO, DIP,BGA,COB等 LOe!qt\& 2.样品减薄(陶瓷,金属除外) bNIT 1'v 3.激光打标 Zw"6-h4 4.芯片开封(正面/背面) /rJvw 5.IC蚀刻,塑封体去除 :tR%y" 二、X-RAY:写清样品尺寸,数量,材质(密度大的可以看到,密度小的直接穿透),重点观察区域,精度。 Fv e,&~ 1.观测DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、Flipchip等不同封装的半导体、电阻、电容等电子元器件以及小型PCB印刷电路板 rA{h/T" 2.观测器件内部芯片大小、数量、叠die、绑线情况 <%) :'0q& 3.观测芯片crack、点胶不均、断线、搭线、内部气泡等封装 EYG&~a>L* 缺陷,以及焊锡球冷焊、虚焊等焊接缺陷 ed*=p
l3. 三、IV:写清管脚数量,封装形式,加电方式,电压电流限制范围。实验人员需要提前确认搭建适合的分析环境,若样品不适合就不用白跑一趟了。 OJkPlDym 1.Open/Short Test @yobT,DXi 2.I/V Curve Analysis (}]74Lc 3.Idd Measuring D {>,2hC 4.Powered Leakage(漏电)Test $#"}g#u 四、EMMI:写清样品加电方式,电压电流,是否是裸die,是否已经开封,特殊要求等,EMMI是加电测试,可以连接各种源表,确认加电要求,若实验室没有适合的源表,可以自带,避免做无用功。 0nhsjN}v 1.P-N接面漏电;P-N接面崩溃 x-Xb4?{ 2.饱和区晶体管的热电子 |!IJ/ivEgw 3.氧化层漏电流产生的光子激发 TvM{ QGN 4.Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、 w_A-:S
5C Hot Carriers Effect、ESD等问题 7+=j]+O 五、FIB:写清样品尺寸,材质,导电性是否良好,若尺寸较大需要事先裁剪。一般样品台1-3cm左右,太大的样品放不进去,也影像定位,导电性好的样品分析较快,导电性不好的,需要辅助措施才能较好的分析。切点观察的,标清切点要求。切线连线写清方案,发定位文件。 Fd|:7NRA< >+1^X eeS 1.芯片电路修改和布局验证 M(oW;^B 2.Cross-Section截面分析 .8.ivfmJh 3.Probing Pad VVCCPK^< 4.定点切割 1Kwl_jf 六、SEM:写清样品尺寸,材质,导电性是否良好,若尺寸较大需要事先裁剪。一般样品台1-3cm左右,太大的样品放不进去,也影像定位,导电性好的样品分析较快,导电性不好的,需要辅助措施才能较好的分析。 F"B! r -J 1.材料表面形貌分析,微区形貌观察 dbnH#0i 2.材料形状、大小、表面、断面、粒径分布分析 AS4m227 3.薄膜样品表面形貌观察、薄膜粗糙度及膜厚分析 Z(U&0GH` 4.纳米尺寸量测及标示 ;x+4jpH]B 七、EDX:写清样品尺寸,材质,EDX是定性分析,能看到样品的材质和大概比例,适合金属元素分析。 &+%CC 1.微区成分定性分析 US>
m1KsX 八、Probe:写清样品测试环境要求,需要搭配什么源表,使用什么探针,一般有硬针和软针,软针较细,不易对样品造成二次损伤。 QC ?8 1.微小连接点信号引出 @LwhQ 2.失效分析失效确认 `EWeJ(4Z@ 3.FIB电路修改后电学特性确认 B[b'OtH 4.晶圆可靠性验证 (
B50~it 九、OM:写清样品情况,对放大倍率要求。OM属于表面观察,看不到内部情况。 F(SeD)ml 1.样品外观、形貌检测 nJ2l$J< 2.制备样片的金相显微分析 B%'Np7 3.各种缺陷的查找 Td8'z' 4.晶体管点焊、检查 ojyG|Y 十、RIE:写清样品材质,需要看到的区域。 n=hz7tjaz 1.用于对使用氟基化学的材料进行各向同性和各向异性蚀刻,其中包括碳、环氧树脂、石墨、铟、钼、氮氧化物、光阻剂、聚酰亚胺、石英、硅、氧化物、氮化物、钽、氮化钽、氮化钛、钨钛以及钨 <<n8 P5pXt 2.器件表面图形的刻蚀 9(u2jbA 73N%_8DH 北京芯片失效分析实验室介绍 ?]5wX2G^|J IC失效分析实验室 hM>xe8yE 北软检测智能产品检测实验室于2015年底实施运营,能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作,开展从底层芯片到实际产品,从物理到逻辑全面的检测工作,提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务,同时可开展模拟重现智能产品失效的现象,找出失效原因的失效分析检测服务,主要包括点针工作站(Probe Station)、反应离子刻蚀(RIE)、微漏电侦测系统(EMMI)、X-Ray检测,缺陷切割观察系统(FIB系统)等检测试验。实现对智能产品质量的评估及分析,为智能装备产品的芯片、嵌入式软件以及应用提供质量保证。 wl(}F^:/` TzX>d<x 委托方式送样,快递均可。 n7{1m$/ 国家应用软件产品质量监督检验中心 Ep0Aogp29 北京软件产品质量检测检验中心 Qj3UO]> 智能产品检测部 )%#hpP M^ 赵工
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