| 探针台 |
2020-02-10 14:53 |
失效分析前样品需要做哪些准备工作？
y,eoTmaI
失效分析样品准备： ~9 nrS9)
失效分析 赵工 半导体元器件失效分析可靠性测试 1月6日 ^*>no=A
失效分析样品准备： Q LLV OJi
失效分析是芯片测试重要环节，无论对于量产样品还是设计环节亦或是客退品，失效分析可以帮助降低成本，缩短周期。 xo3)ds X
常见的失效分析方法有Decap，X-RAY，IV，EMMI，FIB，SEM，EDX，Probe，OM，RIE等，因为失效分析设备昂贵，大部分需求单位配不了或配不齐需要的设备，因此借用外力，使用对外开放的资源，来完成自己的分析也是一种很好的选择。我们选择去外面测试时需要准备的信息有哪些呢？下面为大家整理一下： xGQ:7g+qu
一、decap：写清样品尺寸，数量，封装形式，材质，开封要求（若在pcb板上，最好提前拆下，pcb板子面较大有突起，会影响对芯片的保护）后续试验。 H zK =UcD
1.IC开封（正面/背面） QFP， QFN， SOT，TO， DIP，BGA，COB等 q:eAL'OkM
2.样品减薄（陶瓷，金属除外） obkv ]~
3.激光打标 iFT3fP'> 5
4.芯片开封（正面/背面） Eu_0n6J
5.IC蚀刻，塑封体去除 nr6[ rq
二、X-RAY：写清样品尺寸，数量，材质（密度大的可以看到，密度小的直接穿透），重点观察区域，精度。 ^8t*WphZC
1.观测DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、Flipchip等不同封装的半导体、电阻、电容等电子元器件以及小型PCB印刷电路板 *\5H\s9<
2.观测器件内部芯片大小、数量、叠die、绑线情况 AYtcN4\/
3.观测芯片crack、点胶不均、断线、搭线、内部气泡等封装 dNmX<WXG
缺陷，以及焊锡球冷焊、虚焊等焊接缺陷 6iS+3 +
三、IV：写清管脚数量，封装形式，加电方式，电压电流限制范围。实验人员需要提前确认搭建适合的分析环境，若样品不适合就不用白跑一趟了。 a .Vs >1
1.Open/Short Test $ O>MV
2.I/V Curve Analysis W sz9X;
3.Idd Measuring (bXp1*0 ;
4.Powered Leakage（漏电）Test ?["ZEa
四、EMMI：写清样品加电方式，电压电流，是否是裸die，是否已经开封，特殊要求等，EMMI是加电测试，可以连接各种源表，确认加电要求，若实验室没有适合的源表，可以自带，避免做无用功。 -Euy5Y
1.P-N接面漏电；P-N接面崩溃 L^Af3]]2
2.饱和区晶体管的热电子 2^j9m }`
3.氧化层漏电流产生的光子激发 B9 {DO
4.Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、 g7ROA8xu
Hot Carriers Effect、ESD等问题 hj[g2S%X
五、FIB：写清样品尺寸，材质，导电性是否良好，若尺寸较大需要事先裁剪。一般样品台1-3cm左右，太大的样品放不进去，也影像定位，导电性好的样品分析较快，导电性不好的，需要辅助措施才能较好的分析。切点观察的，标清切点要求。切线连线写清方案，发定位文件。 hYx^D>}]
{=Y&q~:8v
1.芯片电路修改和布局验证 Kqjeqr@)
2.Cross-Section截面分析 G]4+ Qr?
3.Probing Pad jP]'gQ!-w
4.定点切割 N{@ eV][Q
六、SEM：写清样品尺寸，材质，导电性是否良好，若尺寸较大需要事先裁剪。一般样品台1-3cm左右，太大的样品放不进去，也影像定位，导电性好的样品分析较快，导电性不好的，需要辅助措施才能较好的分析。 n*|-"'j
1.材料表面形貌分析，微区形貌观察 F:U_gW?
2.材料形状、大小、表面、断面、粒径分布分析 rGO 3
3.薄膜样品表面形貌观察、薄膜粗糙度及膜厚分析 YLr2j 7
4.纳米尺寸量测及标示 a_x6 v*
七、EDX：写清样品尺寸，材质，EDX是定性分析，能看到样品的材质和大概比例，适合金属元素分析。 +d15a%^`
1.微区成分定性分析 g==^ioS}*
八、Probe：写清样品测试环境要求，需要搭配什么源表，使用什么探针，一般有硬针和软针，软针较细，不易对样品造成二次损伤。 8g dOQ=a
1.微小连接点信号引出 CbQ%[x9|
2.失效分析失效确认 \/G Y0s
3.FIB电路修改后电学特性确认 N:zSJW` 1
4.晶圆可靠性验证 60$
九、OM：写清样品情况，对放大倍率要求。OM属于表面观察，看不到内部情况。 l{yPO@ut`F
1.样品外观、形貌检测 Ved:w^
,
2.制备样片的金相显微分析 yLX\pkAt4
3.各种缺陷的查找 &c !-C_L 2
4.晶体管点焊、检查 'LI)6;Yc
十、RIE：写清样品材质，需要看到的区域。 f# + h_1#
1.用于对使用氟基化学的材料进行各向同性和各向异性蚀刻，其中包括碳、环氧树脂、石墨、铟、钼、氮氧化物、光阻剂、聚酰亚胺、石英、硅、氧化物、氮化物、钽、氮化钽、氮化钛、钨钛以及钨 2y,wN"qH*
2.器件表面图形的刻蚀 Hs` '](
^u74WN
北京芯片失效分析实验室介绍 .})8gL7 V
IC失效分析实验室 pq`MO
.R
北软检测智能产品检测实验室于2015年底实施运营，能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作，开展从底层芯片到实际产品，从物理到逻辑全面的检测工作，提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务，同时可开展模拟重现智能产品失效的现象，找出失效原因的失效分析检测服务，主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测，缺陷切割观察系统（FIB系统）等检测试验。实现对智能产品质量的评估及分析，为智能装备产品的芯片、嵌入式软件以及应用提供质量保证。 )$i3j
1[;
`z.#O\@o
委托方式送样，快递均可。 2:yv:7t/
国家应用软件产品质量监督检验中心 NI)n f;C
北京软件产品质量检测检验中心 ];YOP%2
智能产品检测部 jTIn@Q
赵工
|
|