| 探针台 |
2020-02-06 12:22 |
实用技术电镜SEM分析技术科普
1r[@(c0 &7?R+ZGo 扫描电子显微镜SEM 6&v?)o 北软检测芯片分析 3cl9wWlJ_E -l+P8:fL~ 扫描电子显微镜SEM分析原理:用电子技术检测高能电子束与样品作用时产生二次电子、背散射电子、吸收电子、X射线等并放大成象 F-Z%6O,2 谱图的表示方法:背散射象、二次电子象、吸收电流象、元素的线分布和面分布等 "HMP$)d 提供的信息:断口形貌、表面显微结构、薄膜内部的显微结构、微区元素分析与定量元素分析等 [jx0-3s:X 扫描电子显微镜SEM应用范围: ig"uXs 1、材料表面形貌分析,微区形貌观察 [K~]& 2、各种材料形状、大小、表面、断面、粒径分布分析 Q<tu) Qo 3、各种薄膜样品表面形貌观察、薄膜粗糙度及膜厚分析 rWtZj}A SEM测试项目 gA#RM5x@ 1、材料表面形貌分析,微区形貌观察 {WN(&eax 2、各种材料形状、大小、表面、断面、粒径分布分析 H!e 3~+) 3、各种薄膜样品表面形貌观察、薄膜粗糙度及膜厚分析 "LhUxnll 7;`o(
[N 扫描电子显微镜样品制备比透射电镜样品制备简单,不需要包埋和切片。 :
DG)g3# 样品要求: ,M !tm7 样品必须是固体;满足无毒,无放射性,无污染,无磁,无水,成分稳定要求。 6"T['6:j 制备原则: D?jk$^p~m# 表面受到污染的试样,要在不破坏试样表面结构的前提下进行适当清洗,然后烘干; "pxzntY| 新断开的断口或断面,一般不需要进行处理,以免破坏断口或表面的结构状态; 3{Nbp 要侵蚀的试样表面或断口应清洗干净并烘干; i yYJR 磁性样品预先去磁; QA!_} N4n 试样大小要适合仪器专用样品座尺寸。 iSRpfU 常用方法: Ths_CKwgWY 块状样品 k?nQ?B
W 块状导电材料:无需制样,用导电胶把试样粘结在样品座上,直接观察。 JF9yVE - 块状非导电(或导电性能差)材料:先使用镀膜法处理样品,以避免电荷累积,影响图像质量。 ~0"p*?^ I&c ~8Dw 图 块状样品制备示意图 FaTa(3$% 粉末样品 KP;(Q+qTx 直接分散法: AT
Zhr.
H 双面胶粘在铜片上,将被测样品颗粒借助于棉球直接散落在上面,用洗耳球轻吹试样,除去附着的和未牢固固定的颗粒。 4wzlJ19E( 把载有颗粒的玻璃片翻转过来,对准已备好的试样台,用小镊子或玻璃棒轻轻敲打,使细颗粒均匀落在试样台。 D:\ g,\Z 超声分散法:将少量的颗粒置于烧杯中,加入适量的乙醇,超声震荡5分钟后,用滴管加到铜片上,自然干燥。 5`/@N{e ;.sl*q1A 镀膜法 1B>V t*= 真空镀膜 MWk:sBCqr 真空蒸发镀膜法(简称真空蒸镀)是在真空室中,加热蒸发容器中待形成薄膜的原材料,使其原子或分子从表面气化逸出,形成蒸气流,入射到固体(称为衬 底或基片)表面,凝结形成固态薄膜的方法。 vY|^/[x#B 离子溅射镀膜 gxPx&Z6jF 原理: $Kj&)&M 离子溅射镀膜是在部分真空的溅射室中辉光放电,产生正的气体离子;在阴极(靶)和阳极(试样)间电压的加速作用下,荷正电的离子轰击阴极表面,使阴极表面材料原子化;形成的中性原子,从各个方向溅出,射落到试样的表面,于是在试样表面上形成一层均匀的薄膜。
{npcPp9 特点: ivgpS5 M`Y 对于任何待镀材料,只要能做成靶材,就可实现溅射(适合制备难蒸发材料,不易得到高纯度的化合物所对应的薄膜材料); 23(=Xp3;> 溅射所获得的薄膜和基片结合较好; k`HP"H 消耗贵金属少,每次仅约几毫克; aMARZ)V 溅射工艺可重复性好,膜厚可控制,同时可以在大面积基片上获得厚度均匀的薄膜。 Q "r_!f 溅射方法:直流溅射、射频溅射、磁控溅射、反应溅射。 tqPx$s 1.直流溅射 {)f~#37 Rr(* aC2P 图 直流溅射沉积装置示意图 C8N{l:1f] DH DZ_t: 已很少用,因为沉积速率太低~0.1μm/min,基片升温,靶材必须导电,高的直流电压,较高的气压。 ;32#t[ib 优点:装置简单,容易控制,支模重复性好。 u.pxz8 缺点:工作气压高(10-2Torr),高真空泵不起作用; ,''cNV 沉积速率低,基片升温高,只能用金属靶(绝缘靶导致正离子累积) >C WKH~ /NT[ETMk+ 2.射频溅射 6< J
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ueN|8' 图 射频溅射工作示意图 "yziXT@V 7fp(R&)1 射频频率:13.56MHz h.rD}N\L +YOKA* 特点: kpwt]]e* 电子作振荡运动,延长了路径,不再需要高压。 XB hb`AG 射频溅射可制备绝缘介质薄膜 Mkp/0|Q* 射频溅射的负偏压作用,使之类似直流溅射。 +,+vkpL-% !U_K&f 3.磁控溅射 iVtl72O 5/[H+O1; 原理:以磁场改变电子运动方向,并束缚和延长电子的运动轨迹,提高了电子对工作气体的电离几率,有效利用了电子的能量。从而使正离子对靶材轰击所引起的靶材溅射更加有效,可在较低的气压条件下进行溅射,同时受正交电磁场束缚的电子又约束在靶附近,只能在其能量耗尽时才能沉积的基片上。 gV1[3dW 31^cz*V 图 磁控溅射原理示意图 a~h:qpgc "Y`3DxXz ,iNv' 特点:低温,高速,有效解决了直流溅射中基片温升高和溅射速率低两大难题。 {C`GW}s{4 缺点: =M 6[URZ 靶材利用率低(10%-30%),靶表面不均匀溅射; Z!d7&T} 反应性磁控溅射中的电弧问题; ?B@;QjhjiJ 薄膜不够均匀 js^ ,(CS 溅射装置比较复杂 ;:S&F ] U@o0 反应溅射 x"kjs.d7[< 在溅射气体中加入少量的反应气体如氮气,氧气,烷类等,使反应气体与靶材原子一起在衬底上沉积,对一些不易找到块材制成靶材的材料,或溅射过程中薄膜成分容易偏离靶材原成分的,都可利用此方法。 >!e<}84b 反应气体:O2,N2,NH3,CH4,H2S等 )/ Ud^wi ?[TfpAtQ` 镀膜操作 e;bYaM4UX 将制好的样品台放在样品托内,置于离子溅射仪中,盖好顶盖,拧紧螺丝,打开电源抽真空。待真空稳定后,约为5X10-1mmHg,按下"启动"按钮,通过调节针阀将电流调至6~8mA,开始镀金,镀金一分钟后自动停止,关闭电源,打开顶盖螺丝,放气,取出样品即可。
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