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探针台 2020-02-06 12:22

实用技术电镜SEM分析技术科普

C3G?dZKv2  
A^3cP, L  
扫描电子显微镜SEM cd) <t8^KE  
北软检测芯片分析 b1\z&IdC  
n`vqCO7@'  
扫描电子显微镜SEM分析原理:用电子技术检测高能电子束与样品作用时产生二次电子、背散射电子、吸收电子、X射线等并放大成象 n"@3d.21  
谱图的表示方法:背散射象、二次电子象、吸收电流象、元素的线分布和面分布等 +M-' K19  
提供的信息:断口形貌、表面显微结构、薄膜内部的显微结构、微区元素分析与定量元素分析等 nD MNaMYb  
扫描电子显微镜SEM应用范围: U%t:]6d&}  
      1、材料表面形貌分析,微区形貌观察 zc*qmb  
      2、各种材料形状、大小、表面、断面、粒径分布分析 lU:z>gC  
      3、各种薄膜样品表面形貌观察、薄膜粗糙度及膜厚分析 b ?B"u^b!  
SEM测试项目 rv9qF |2r{  
      1、材料表面形貌分析,微区形貌观察 SKD!V6S  
      2、各种材料形状、大小、表面、断面、粒径分布分析 3P^eD:) w  
      3、各种薄膜样品表面形貌观察、薄膜粗糙度及膜厚分析 U87VaUr  
No =f&GVg  
扫描电子显微镜样品制备比透射电镜样品制备简单,不需要包埋和切片。 c ?V,a`6  
样品要求: ^ }U{O A  
样品必须是固体;满足无毒,无放射性,无污染,无磁,无水,成分稳定要求。 L6r&Y~+/  
制备原则: 87YT;Z;U&  
表面受到污染的试样,要在不破坏试样表面结构的前提下进行适当清洗,然后烘干; ENA8o}n  
新断开的断口或断面,一般不需要进行处理,以免破坏断口或表面的结构状态; gS4K](KH |  
要侵蚀的试样表面或断口应清洗干净并烘干; 5NJ@mm{0  
磁性样品预先去磁; y?_tSnDK  
试样大小要适合仪器专用样品座尺寸。 dQ/Xs.8  
常用方法: ^%IKlj- E  
块状样品 h&h]z[r R  
块状导电材料:无需制样,用导电胶把试样粘结在样品座上,直接观察。 u'yePJTE  
块状非导电(或导电性能差)材料:先使用镀膜法处理样品,以避免电荷累积,影响图像质量。 8%arA"#S  
_~HGMC)  
图 块状样品制备示意图 +\"@2mOH{+  
粉末样品 @2YO_rL[  
直接分散法: o'>jO.|  
双面胶粘在铜片上,将被测样品颗粒借助于棉球直接散落在上面,用洗耳球轻吹试样,除去附着的和未牢固固定的颗粒。 Vn=J$Uv0  
把载有颗粒的玻璃片翻转过来,对准已备好的试样台,用小镊子或玻璃棒轻轻敲打,使细颗粒均匀落在试样台。 |I)Ms NF  
超声分散法:将少量的颗粒置于烧杯中,加入适量的乙醇,超声震荡5分钟后,用滴管加到铜片上,自然干燥。 14s+ &  
(0Hhn2JA  
镀膜法 F] M3/M  
真空镀膜 7:jSP$  
真空蒸发镀膜法(简称真空蒸镀)是在真空室中,加热蒸发容器中待形成薄膜的原材料,使其原子或分子从表面气化逸出,形成蒸气流,入射到固体(称为衬 底或基片)表面,凝结形成固态薄膜的方法。 *v8Cj(69  
离子溅射镀膜 -S)HB$8  
原理: 'G@Npp)&^  
离子溅射镀膜是在部分真空的溅射室中辉光放电,产生正的气体离子;在阴极(靶)和阳极(试样)间电压的加速作用下,荷正电的离子轰击阴极表面,使阴极表面材料原子化;形成的中性原子,从各个方向溅出,射落到试样的表面,于是在试样表面上形成一层均匀的薄膜。 bnB}VRal  
特点: OWtN=Gk  
对于任何待镀材料,只要能做成靶材,就可实现溅射(适合制备难蒸发材料,不易得到高纯度的化合物所对应的薄膜材料); D dt9`j  
溅射所获得的薄膜和基片结合较好; d!Y,i!l!  
消耗贵金属少,每次仅约几毫克; ~uzu*7U  
溅射工艺可重复性好,膜厚可控制,同时可以在大面积基片上获得厚度均匀的薄膜。 @^k$`W;  
溅射方法:直流溅射、射频溅射、磁控溅射、反应溅射。 NawnC!~ $  
1.直流溅射 \<T6+3p  
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图 直流溅射沉积装置示意图 rf1-E57#  
>]ZojdOl)  
已很少用,因为沉积速率太低~0.1μm/min,基片升温,靶材必须导电,高的直流电压,较高的气压。 i"Ct}7i  
优点:装置简单,容易控制,支模重复性好。 J[VQ6fD%  
缺点:工作气压高(10-2Torr),高真空泵不起作用; vJl4.nk  
沉积速率低,基片升温高,只能用金属靶(绝缘靶导致正离子累积) e)cmZ8~S  
?y ]3kU  
2.射频溅射 Qnr' KbK  
2s|[!:L5  
图  射频溅射工作示意图 n?kU  
J*a`qU   
射频频率:13.56MHz k3S**&i!CR  
pOnZ7(  
特点: ]=@>;yP)  
电子作振荡运动,延长了路径,不再需要高压。 s49 AF  
射频溅射可制备绝缘介质薄膜 AHn^^'&x[  
射频溅射的负偏压作用,使之类似直流溅射。 `4\H'p  
mR8&9]g&  
3.磁控溅射 owmA]f  
9.vHnMcq  
原理:以磁场改变电子运动方向,并束缚和延长电子的运动轨迹,提高了电子对工作气体的电离几率,有效利用了电子的能量。从而使正离子对靶材轰击所引起的靶材溅射更加有效,可在较低的气压条件下进行溅射,同时受正交电磁场束缚的电子又约束在靶附近,只能在其能量耗尽时才能沉积的基片上。 -qid.  
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图  磁控溅射原理示意图 Rjm5{aa-  
}KS[(Q  
h7gH4L!'u  
特点:低温,高速,有效解决了直流溅射中基片温升高和溅射速率低两大难题。 oVc_ (NH-  
缺点: KZ/}Iy>As  
靶材利用率低(10%-30%),靶表面不均匀溅射; Q'$aFl'NR  
反应性磁控溅射中的电弧问题; bG2 !5m4L  
薄膜不够均匀 g>VkQos5"  
溅射装置比较复杂 t?YGGu^  
l}:9)nXA{  
反应溅射 mgH4)!Z*56  
在溅射气体中加入少量的反应气体如氮气,氧气,烷类等,使反应气体与靶材原子一起在衬底上沉积,对一些不易找到块材制成靶材的材料,或溅射过程中薄膜成分容易偏离靶材原成分的,都可利用此方法。 sNS! /  
反应气体:O2,N2,NH3,CH4,H2S等 ;v8,r#4  
}v=q6C#Q>  
镀膜操作 LR-op?W  
将制好的样品台放在样品托内,置于离子溅射仪中,盖好顶盖,拧紧螺丝,打开电源抽真空。待真空稳定后,约为5X10-1mmHg,按下"启动"按钮,通过调节针阀将电流调至6~8mA,开始镀金,镀金一分钟后自动停止,关闭电源,打开顶盖螺丝,放气,取出样品即可。
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