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探针台 2020-02-06 12:22

实用技术电镜SEM分析技术科普

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扫描电子显微镜SEM x_3Zd  
北软检测芯片分析 2Rp'ju~O)/  
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扫描电子显微镜SEM分析原理:用电子技术检测高能电子束与样品作用时产生二次电子、背散射电子、吸收电子、X射线等并放大成象 4IIXzMOa  
谱图的表示方法:背散射象、二次电子象、吸收电流象、元素的线分布和面分布等 3GSoHsNk  
提供的信息:断口形貌、表面显微结构、薄膜内部的显微结构、微区元素分析与定量元素分析等 U/JeEI%L  
扫描电子显微镜SEM应用范围: F;IG@ &  
      1、材料表面形貌分析,微区形貌观察 z <"7vR  
      2、各种材料形状、大小、表面、断面、粒径分布分析 Q(}TN,N  
      3、各种薄膜样品表面形貌观察、薄膜粗糙度及膜厚分析 fi[c^e+IX  
SEM测试项目 3-Q*umh  
      1、材料表面形貌分析,微区形貌观察 3psCV=/z  
      2、各种材料形状、大小、表面、断面、粒径分布分析 :q2tda  
      3、各种薄膜样品表面形貌观察、薄膜粗糙度及膜厚分析 V+()`>44  
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扫描电子显微镜样品制备比透射电镜样品制备简单,不需要包埋和切片。 USnKj_e  
样品要求: oK GFDl]3  
样品必须是固体;满足无毒,无放射性,无污染,无磁,无水,成分稳定要求。 _cZ`7 ]Z  
制备原则: &B^vHH  
表面受到污染的试样,要在不破坏试样表面结构的前提下进行适当清洗,然后烘干; C_[V[k0(  
新断开的断口或断面,一般不需要进行处理,以免破坏断口或表面的结构状态; {)t6DH#  
要侵蚀的试样表面或断口应清洗干净并烘干; P7I,xcOm  
磁性样品预先去磁; U=C8gVb{Hq  
试样大小要适合仪器专用样品座尺寸。 V;Zp3Qo!  
常用方法: !Cj1:P  
块状样品 dQ8}mH!  
块状导电材料:无需制样,用导电胶把试样粘结在样品座上,直接观察。 TA}z3!-y*  
块状非导电(或导电性能差)材料:先使用镀膜法处理样品,以避免电荷累积,影响图像质量。 N.q4Ar[x#p  
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图 块状样品制备示意图 Qr;es,f  
粉末样品 #EpDIL  
直接分散法: F6T@YSP  
双面胶粘在铜片上,将被测样品颗粒借助于棉球直接散落在上面,用洗耳球轻吹试样,除去附着的和未牢固固定的颗粒。 )>ed6A1  
把载有颗粒的玻璃片翻转过来,对准已备好的试样台,用小镊子或玻璃棒轻轻敲打,使细颗粒均匀落在试样台。 =*q:R9V  
超声分散法:将少量的颗粒置于烧杯中,加入适量的乙醇,超声震荡5分钟后,用滴管加到铜片上,自然干燥。 :\*hAV1i  
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镀膜法 % 8kbX  
真空镀膜 *n0k2 p  
真空蒸发镀膜法(简称真空蒸镀)是在真空室中,加热蒸发容器中待形成薄膜的原材料,使其原子或分子从表面气化逸出,形成蒸气流,入射到固体(称为衬 底或基片)表面,凝结形成固态薄膜的方法。 RGGP6SDc  
离子溅射镀膜 UcMe("U  
原理: -/aDq?<<  
离子溅射镀膜是在部分真空的溅射室中辉光放电,产生正的气体离子;在阴极(靶)和阳极(试样)间电压的加速作用下,荷正电的离子轰击阴极表面,使阴极表面材料原子化;形成的中性原子,从各个方向溅出,射落到试样的表面,于是在试样表面上形成一层均匀的薄膜。 }TRr*] P<%  
特点: EjB<`yT  
对于任何待镀材料,只要能做成靶材,就可实现溅射(适合制备难蒸发材料,不易得到高纯度的化合物所对应的薄膜材料); lX`)Avqa  
溅射所获得的薄膜和基片结合较好; unmuY^+<  
消耗贵金属少,每次仅约几毫克; }[PbA4l.g  
溅射工艺可重复性好,膜厚可控制,同时可以在大面积基片上获得厚度均匀的薄膜。 lC6#EU;  
溅射方法:直流溅射、射频溅射、磁控溅射、反应溅射。 d8g3hyI5\  
1.直流溅射 #kX=$Bzk  
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图 直流溅射沉积装置示意图 }0uSm%,"  
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已很少用,因为沉积速率太低~0.1μm/min,基片升温,靶材必须导电,高的直流电压,较高的气压。 [^W4%S  
优点:装置简单,容易控制,支模重复性好。 g~%=[1  
缺点:工作气压高(10-2Torr),高真空泵不起作用; :Qu!0tY  
沉积速率低,基片升温高,只能用金属靶(绝缘靶导致正离子累积) CS cM;U=  
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2.射频溅射 C%v@ u$N  
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图  射频溅射工作示意图 1uv"5`%s  
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射频频率:13.56MHz /'G'GQrr  
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特点: +U^dllL7  
电子作振荡运动,延长了路径,不再需要高压。 L5cNCWpo  
射频溅射可制备绝缘介质薄膜 &I?1(t~hT  
射频溅射的负偏压作用,使之类似直流溅射。 )xP]rOT  
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3.磁控溅射 B l'  
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原理:以磁场改变电子运动方向,并束缚和延长电子的运动轨迹,提高了电子对工作气体的电离几率,有效利用了电子的能量。从而使正离子对靶材轰击所引起的靶材溅射更加有效,可在较低的气压条件下进行溅射,同时受正交电磁场束缚的电子又约束在靶附近,只能在其能量耗尽时才能沉积的基片上。 *E .{i   
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图  磁控溅射原理示意图 ~m uVQ  
+:It1`A~]  
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特点:低温,高速,有效解决了直流溅射中基片温升高和溅射速率低两大难题。 . xX xjl  
缺点: ms ;RJT2O'  
靶材利用率低(10%-30%),靶表面不均匀溅射; Q%QpG)E  
反应性磁控溅射中的电弧问题; G`mC=*M a;  
薄膜不够均匀 nH% /  
溅射装置比较复杂 h&yaug,.  
TDY}oGmNn  
反应溅射 e7/J:n$  
在溅射气体中加入少量的反应气体如氮气,氧气,烷类等,使反应气体与靶材原子一起在衬底上沉积,对一些不易找到块材制成靶材的材料,或溅射过程中薄膜成分容易偏离靶材原成分的,都可利用此方法。 jRB:o?S  
反应气体:O2,N2,NH3,CH4,H2S等 1WcT>_$  
Dw[w%uz  
镀膜操作 >g93Bj*  
将制好的样品台放在样品托内,置于离子溅射仪中,盖好顶盖,拧紧螺丝,打开电源抽真空。待真空稳定后,约为5X10-1mmHg,按下"启动"按钮,通过调节针阀将电流调至6~8mA,开始镀金,镀金一分钟后自动停止,关闭电源,打开顶盖螺丝,放气,取出样品即可。
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