| 探针台 |
2020-02-06 12:22 |
实用技术电镜SEM分析技术科普
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1fik 扫描电子显微镜SEM r$v?[x>+K 北软检测芯片分析 mZ;yk( 2J4|7UwJ 扫描电子显微镜SEM分析原理:用电子技术检测高能电子束与样品作用时产生二次电子、背散射电子、吸收电子、X射线等并放大成象 rY!uc! 谱图的表示方法:背散射象、二次电子象、吸收电流象、元素的线分布和面分布等 ZVp\5V* 提供的信息:断口形貌、表面显微结构、薄膜内部的显微结构、微区元素分析与定量元素分析等 0!vC0T[ 扫描电子显微镜SEM应用范围:
kw-/h+lG 1、材料表面形貌分析,微区形貌观察 -Ez| 2、各种材料形状、大小、表面、断面、粒径分布分析 >>$IHz4Z" 3、各种薄膜样品表面形貌观察、薄膜粗糙度及膜厚分析 eF8`an5S SEM测试项目 :LBe{Jbw 1、材料表面形貌分析,微区形貌观察 cZ!s/^o?f 2、各种材料形状、大小、表面、断面、粒径分布分析 }=;>T)QmMO 3、各种薄膜样品表面形貌观察、薄膜粗糙度及膜厚分析 &YT7>z, gv[7h'}< 扫描电子显微镜样品制备比透射电镜样品制备简单,不需要包埋和切片。 R^B2J+O 样品要求: k@8#By l| 样品必须是固体;满足无毒,无放射性,无污染,无磁,无水,成分稳定要求。 3yKI2en" 制备原则: k9Sqp:l, 表面受到污染的试样,要在不破坏试样表面结构的前提下进行适当清洗,然后烘干; uPF yRWK 新断开的断口或断面,一般不需要进行处理,以免破坏断口或表面的结构状态; "}OFwes 要侵蚀的试样表面或断口应清洗干净并烘干; Y$ChMf 磁性样品预先去磁; Oq[E\8Wn 试样大小要适合仪器专用样品座尺寸。 4|$D.`Wu 常用方法: :):Y6)giBD 块状样品 Eq8OAuN 块状导电材料:无需制样,用导电胶把试样粘结在样品座上,直接观察。 9>i6oF]Oq 块状非导电(或导电性能差)材料:先使用镀膜法处理样品,以避免电荷累积,影响图像质量。 $k`8Zx w 7
YK+TGmU^ 图 块状样品制备示意图 !GIsmqVY 粉末样品 j&Hn`G 直接分散法: 4C*3#/TR 双面胶粘在铜片上,将被测样品颗粒借助于棉球直接散落在上面,用洗耳球轻吹试样,除去附着的和未牢固固定的颗粒。 !%u#J:z2 把载有颗粒的玻璃片翻转过来,对准已备好的试样台,用小镊子或玻璃棒轻轻敲打,使细颗粒均匀落在试样台。 zDl, bLiJ 超声分散法:将少量的颗粒置于烧杯中,加入适量的乙醇,超声震荡5分钟后,用滴管加到铜片上,自然干燥。 iO!lG ^TEODKS 镀膜法 X#3<hN*v 真空镀膜 z$Nk\9wm 真空蒸发镀膜法(简称真空蒸镀)是在真空室中,加热蒸发容器中待形成薄膜的原材料,使其原子或分子从表面气化逸出,形成蒸气流,入射到固体(称为衬 底或基片)表面,凝结形成固态薄膜的方法。 pt4xUu{ 离子溅射镀膜 *cf"l 原理: vfv5ex( 离子溅射镀膜是在部分真空的溅射室中辉光放电,产生正的气体离子;在阴极(靶)和阳极(试样)间电压的加速作用下,荷正电的离子轰击阴极表面,使阴极表面材料原子化;形成的中性原子,从各个方向溅出,射落到试样的表面,于是在试样表面上形成一层均匀的薄膜。 }=|ZEhtOp 特点: %b{!9-n} 对于任何待镀材料,只要能做成靶材,就可实现溅射(适合制备难蒸发材料,不易得到高纯度的化合物所对应的薄膜材料); q9
;\B& 溅射所获得的薄膜和基片结合较好; bY2Mw8e% 消耗贵金属少,每次仅约几毫克; !n{c#HfG 溅射工艺可重复性好,膜厚可控制,同时可以在大面积基片上获得厚度均匀的薄膜。 y[|g!9Rp 溅射方法:直流溅射、射频溅射、磁控溅射、反应溅射。
?:FotnU*p 1.直流溅射 JG<3,>@% KB"iF}\P0 图 直流溅射沉积装置示意图 AfEEYP)N &tgvE6/V 已很少用,因为沉积速率太低~0.1μm/min,基片升温,靶材必须导电,高的直流电压,较高的气压。 f
oVD+\~Y 优点:装置简单,容易控制,支模重复性好。 ^97ZH)Ww 缺点:工作气压高(10-2Torr),高真空泵不起作用; jkP70Is 沉积速率低,基片升温高,只能用金属靶(绝缘靶导致正离子累积) 3EZw F _B1uE2j9 2.射频溅射 O0{ yo.SPd="Vx 图 射频溅射工作示意图 {^f0RGJg9 H n!vTB 射频频率:13.56MHz m6x. "jG Qf|}%}%fp 特点: +lT]s#Fif 电子作振荡运动,延长了路径,不再需要高压。 ^d9raYE`' 射频溅射可制备绝缘介质薄膜 BP[U`
! 射频溅射的负偏压作用,使之类似直流溅射。 +zdkdS,2< "r
V4[MVxt 3.磁控溅射 N 9&@,3 ee_\_" 原理:以磁场改变电子运动方向,并束缚和延长电子的运动轨迹,提高了电子对工作气体的电离几率,有效利用了电子的能量。从而使正离子对靶材轰击所引起的靶材溅射更加有效,可在较低的气压条件下进行溅射,同时受正交电磁场束缚的电子又约束在靶附近,只能在其能量耗尽时才能沉积的基片上。 >Y'yM4e* 8@aS9th$ 图 磁控溅射原理示意图 4) 3pa* | q16%6q #(IMRdUf 特点:低温,高速,有效解决了直流溅射中基片温升高和溅射速率低两大难题。 BNCJT$tYX 缺点: qE72(#:R* 靶材利用率低(10%-30%),靶表面不均匀溅射; erP>P 反应性磁控溅射中的电弧问题; `Y\/US70{c 薄膜不够均匀 I|IlFu?O= 溅射装置比较复杂 %9/) 02^(z6K'&? 反应溅射 s~$4bN>LD 在溅射气体中加入少量的反应气体如氮气,氧气,烷类等,使反应气体与靶材原子一起在衬底上沉积,对一些不易找到块材制成靶材的材料,或溅射过程中薄膜成分容易偏离靶材原成分的,都可利用此方法。 4@e!D Du 反应气体:O2,N2,NH3,CH4,H2S等 )Zf}V0!?+
t MZ(s 镀膜操作 <M OL{jan 将制好的样品台放在样品托内,置于离子溅射仪中,盖好顶盖,拧紧螺丝,打开电源抽真空。待真空稳定后,约为5X10-1mmHg,按下"启动"按钮,通过调节针阀将电流调至6~8mA,开始镀金,镀金一分钟后自动停止,关闭电源,打开顶盖螺丝,放气,取出样品即可。
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