| 探针台 |
2020-01-17 11:25 |
芯片焊接的失效机理
目的：芯片与管座牢固粘结 \ctzv``/n
要求：芯片与管座之间形成良好的欧姆接触并有良好的导电性。 HpIi- Es7C
方式：银浆烧结，合金（共晶）粘结，导电胶烧结，环氧树脂粘结，高温聚酰亚胺粘结。 biS[GyQ
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对于银浆烧结： cQ Thpgh a
1，银浆问题 u?MhK# Mr
2，杂质问题 G BRiU &D
3，硅的氧化及镀镍，镀银的不良。 W% Lrp{
4，银浆与基材结合力差引起的问题。 =1R
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对于合金粘结： {v=[~H>bt
1，金-铅系统 V( 0Y
2，锡-铅系统 g4Dck4^! 4
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引线键合的失效机理： er 1X Z
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引线键合的主要方法： L&:A59)1k
热压焊，超声焊，面键合。 w ~crj$ UM
引线：铝-铝超声焊，金-铝热压焊（包括楔形和球焊） n[K%X s)
c1+z(NQ3
工艺问题。金属互化物使金铝系统失效。 U"Bge\6x=
热循环使引线疲劳。沾污造成引线腐蚀而开路。 K3tW Y
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内涂料开裂造成断丝。压焊应力过大造成失效。 xy!E_CuC$
外引线的失效。 Rc4=zimr+
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开短路的可能原因： O_ th/hl
I/A%3i=H
封装工艺方面 ^z, B}Nz
表现为断丝，塌丝，碰丝，内引脚相碰，点脱，球脱，球飘等。占封装造成开短路的90%以上。 '@#(jY0_
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芯片表面水汽吸附。 @zi0:3`#0\
钝化层不良。 "oZ_1qi<
芯片氧化层不良。 :]Om4Q\-#
内应力使芯片产生芯裂，金属化层断裂，或金丝脱落。 )AdwA+ -x
电迁移。 fQ!W)>mi
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铝硅共溶。 ,f,+) C$
金属间化合物。 G^SJhdO(Q
芯片焊接疲劳。 tlvZy+Blv
热不匹配。 u 6l)s0Q
外来异物。 =1|p$@L `%
氧化层台阶处金属膜断路。
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