| 探针台 |
2020-01-17 11:25 |
芯片焊接的失效机理
目的：芯片与管座牢固粘结 \3/'#
要求：芯片与管座之间形成良好的欧姆接触并有良好的导电性。 ZS]e}]Zwp
方式：银浆烧结，合金（共晶）粘结，导电胶烧结，环氧树脂粘结，高温聚酰亚胺粘结。 3iTjM>+>
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对于银浆烧结： &5<lQ1
1，银浆问题 mH"`4 6
2，杂质问题 ~gD]JiiA
3，硅的氧化及镀镍，镀银的不良。 u :$x ,Q
4，银浆与基材结合力差引起的问题。 mHy] $Z
2rM i~8 T
对于合金粘结： K9=_}lS@'
1，金-铅系统 X(9Ff=0.~
2，锡-铅系统 &$[ {L)D
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引线键合的失效机理： LtBH4 A
?~Des"F6)1
引线键合的主要方法： } 2S \-
热压焊，超声焊，面键合。 <[bDNe["?
引线：铝-铝超声焊，金-铝热压焊（包括楔形和球焊） hAdEq$
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工艺问题。金属互化物使金铝系统失效。 *(rE<
热循环使引线疲劳。沾污造成引线腐蚀而开路。 Pcc%VQ N
内涂料开裂造成断丝。压焊应力过大造成失效。 A
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外引线的失效。 _1~Sj*
( Lp-3Xx
开短路的可能原因： Y u=^ `I
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封装工艺方面 n_Z8%|h
表现为断丝，塌丝，碰丝，内引脚相碰，点脱，球脱，球飘等。占封装造成开短路的90%以上。 Gmb57z&:
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芯片表面水汽吸附。 kH'Cx^=c6h
钝化层不良。 {mDaK&]Oh
芯片氧化层不良。 FYJB.lAT
内应力使芯片产生芯裂，金属化层断裂，或金丝脱落。 1 /`>Eh
电迁移。 G+}LLm.wX
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铝硅共溶。 V-31x )
金属间化合物。 )Jc>l;G(M
芯片焊接疲劳。 ? g&]*zc^\
热不匹配。 `#V"@Go
外来异物。 ,rKN/{M!
氧化层台阶处金属膜断路。
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