探针台 |
2019-12-27 08:32 |
半导体漏电定位技术emmi
EMMI(微光显微镜) Q OdvzVy< [attachment=97501] g:OVAA 对于失效分析而言,微光显微镜是一种相当有用,且效率极高的分析工具,主要侦测IC内部所放出光子。在IC原件中,EHP Recombination会放出光子,例如:在PN Junction加偏压,此时N的电子很容易扩散到P, 而P的空穴也容易扩散至N,然后与P端的空穴做EHP Recombination。 $r_z""eOc 侦测到亮点之情况 I-+D+DhRx 会产生亮点的缺陷:1.漏电结;2.解除毛刺;3.热电子效应;4闩锁效应; 5氧化层漏电;6多晶硅须;7衬底损失;8.物理损伤等。 N!btj,vx n1!u
aUC 侦测不到亮点之情况 ;i,yT
?so `)SkA?yKI 不会出现亮点之故障:1.亮点位置被挡到或遮蔽的情形(埋入式的接面及大面积金属线底下的漏电位置);2.欧姆接触;3.金属互联短路;4.表面反型层;5.硅导电通路等。 Q@l3XNH|c "*TnkFTR 点被遮蔽之情况:埋入式的接面及大面积金属线底下的漏电位置,这种情况可采用Backside模式,但是只能探测近红外波段的发光,且需要减薄及抛光处理。 H# Vs3*VK HgG"9WBe% [attachment=97502] I,q3J1K *a\1*Jk 测试范围: ]l&_Pv!! JJ[J'xl@ 故障点定位、寻找近红外波段发光点 N !H iQ ;i Ud3'* 测试内容: c)lMi}/ w'U;b 1.P-N接面漏电;P-N接面崩溃 u*PN1E 2.饱和区晶体管的热电子 zJtYy4jI) 3.氧化层漏电流产生的光子激发 Jd)|==yD 4.Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、Hot Carriers Effect、ESD等问题 i)
:Q{[D Y$%Ze]~ 北软检测失效分析实验室,能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作,开展从底层芯片到实际产品,从物理到逻辑全面的检测工作,提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务,同时可开展模拟重现智能产品失效的现象,找出失效原因的失效分析检测服务,主要包括点针工作站(Probe Station)、反应离子刻蚀(RIE)、微漏电侦测系统(EMMI)、X-Ray检测,缺陷切割观察系统(FIB系统)等检测试验。实现对智能产品质量的评估及分析,为智能装备产品的芯片、嵌入式软件以及应用提供质量保证。
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