| 探针台 |
2019-10-30 09:38 |
晶片的正确使用及影响因素
1.晶片的正确使用： >8f H5
固好晶片的材料原则上要求室内湿度在40以下。 Qiw4'xQm
晶片扩张温度设定：自动片蓝膜：40℃±10℃； W_\L_)^X
手动片白膜：40℃±10℃ f9UaAdJ(
扩张越开，背胶胶量好管控，不易造成银胶过高IR，间隔以1.86 mm为 佳。银胶量为晶片高度的2/5最佳，(1/4~1/2晶片高度)。 ,,@`l\Pgd
2. Bonding 焊接位置及压力对晶片电性均会有影响。 Xp6*Y1Y
B/D压力重易打损晶片造成晶片内崩，另接电面积小，第一焊点位置打 偏也会影响IR。故要求每换不同型号的晶片，焊线均需调整距离（钢嘴到第一焊点的距离）及压力。 ':D&c
3.检测条件：电流设定：20mA； ==1/N{{R
电压（VFV）设定根据不同晶片规格设定： I&8SP$S>J
E：2.0； G：2.1； Y：2.1； H：2.1； *\KvcRMGUa
SR/SRD/LR/UR：1.8；LY/UY：2.1。 1 \*B .
影响晶片特性的主要因素： ]t)M}^w
晶片自身不良： -!,]Y10
晶片切割不良，晶片PAD（接垫）不平整，晶片铝垫镀层不良（有凹洞）。 _F@p53 WE
晶片材质不良： !9xANSb
影响晶片VF值的主要因素在于晶片背金（晶片背面的金属附著是否够，检测方式可用TAPE贴粘晶片的背面，看底部的金属附著是否会脱落）。（背面金属附著）背金分布有全金、点金，分布不同其电流不同以至影响其VF。 Q5nyD/k4c
分析晶片首先将外形尺寸及铝垫大小进行测量，因不同大小的晶片制程工艺不同，然后分析所有材料（不同的方面：正面、侧面、上层、中层、下层所用材料均不同）。 o ?K|[gNi
一般晶片除了底部不发光，其它五个侧面都能发光，主要靠表面发光，晶片PAD（接电）的大小（及第一焊点线球的大小）会影响晶片的发光。 h#>L:Wf5E
晶片PAD（接电）有加天线可以增进电流分布。 QX.6~*m1
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