| 探针台 |
2019-10-30 09:38 |
晶片的正确使用及影响因素
1.晶片的正确使用： WbZ {)
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固好晶片的材料原则上要求室内湿度在40以下。 kGhWr M
晶片扩张温度设定：自动片蓝膜：40℃±10℃； n|`L>@aw,
手动片白膜：40℃±10℃ IgH[ xwzy[
扩张越开，背胶胶量好管控，不易造成银胶过高IR，间隔以1.86 mm为 佳。银胶量为晶片高度的2/5最佳，(1/4~1/2晶片高度)。 |0nbO2}
2. Bonding 焊接位置及压力对晶片电性均会有影响。 P~n I6/r1
B/D压力重易打损晶片造成晶片内崩，另接电面积小，第一焊点位置打 偏也会影响IR。故要求每换不同型号的晶片，焊线均需调整距离（钢嘴到第一焊点的距离）及压力。 -
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3.检测条件：电流设定：20mA； NQS@i'W=g
电压（VFV）设定根据不同晶片规格设定： `c@KlL*!Q
E：2.0； G：2.1； Y：2.1； H：2.1； [OFg
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SR/SRD/LR/UR：1.8；LY/UY：2.1。 41 sClC"
影响晶片特性的主要因素： A-gNfXP,D
晶片自身不良： '@'~_BB ZP
晶片切割不良，晶片PAD（接垫）不平整，晶片铝垫镀层不良（有凹洞）。 jG =*\lK6
晶片材质不良： l/[0N@r~
影响晶片VF值的主要因素在于晶片背金（晶片背面的金属附著是否够，检测方式可用TAPE贴粘晶片的背面，看底部的金属附著是否会脱落）。（背面金属附著）背金分布有全金、点金，分布不同其电流不同以至影响其VF。 UEm NT9 V
分析晶片首先将外形尺寸及铝垫大小进行测量，因不同大小的晶片制程工艺不同，然后分析所有材料（不同的方面：正面、侧面、上层、中层、下层所用材料均不同）。 pnin;;D*
一般晶片除了底部不发光，其它五个侧面都能发光，主要靠表面发光，晶片PAD（接电）的大小（及第一焊点线球的大小）会影响晶片的发光。 _urv
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晶片PAD（接电）有加天线可以增进电流分布。 et]- ;(M
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