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2019-10-29 15:00 |
集成电路发展历史
集成电路发展历史 QoT3;<r}
1947年：贝尔实验室肖克莱等人发明了晶体管，这是微电子技术发展中第一个里程碑； A4 A6F<
1950年：结型晶体管诞生； bo~{<U T
1950年： R Ohl和肖特莱发明了离子注入工艺； >m2<Nl }
1951年：场效应晶体管发明； k * G!.
1956年：C S Fuller发明了扩散工艺； 2 0Cie
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1958年：仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史； Cu
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1960年：H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺； #Vn>ue+?
1962年：美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管； %ojR?=O N
1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术，今天，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺； epG X.
1964年：Intel的摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍； z'\}/k+
1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世； |&0 "N[t
1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM； & z xBi"
1985年：80386微处理器问世，20MHz； {LB
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1988年：16M DRAM问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管，标志着进入甚大规模集成电路（ULSI）阶段；
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1989年：1Mb DRAM进入市场； YjX!q]56
1989年：486微处理器推出，25MHz，1μm工艺，后来50MHz芯片采用 0.8μm工艺； M0Kh>u
1992年：64M位随机存储器问世； Bp$+ F/
1993年：66MHz奔腾处理器推出,采用0.6μｍ工艺； @o3R`ZgC]\
1995年：Pentium Pro, 133MHz，采用0.6-0.35μｍ工艺； quCWc2pXX
1997年：300MHz奔腾Ⅱ问世,采用0.25μｍ工艺； C+ L_61
1999年：奔腾Ⅲ问世，450MHz，采用0.25μｍ工艺，后采用0.18μm工艺； / BjGAa(
1966年：美国RCA公司研制出CMOS集成电路，并研制出第一块门阵列（50门）； z[KN^2YS
1967年：应用材料公司（Applied Materials）成立，现已成为全球最大的半导体设备制造公司； ulPrb>i
1971年：Intel推出1kb动态随机存储器（DRAM），标志着大规模集成电路出现； Rvu3Qo+
1971年：全球第一个微处理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工艺，这是一个里程碑式的发明； ~f]r>jQM
1974年：RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802； Qa7S' (
1976年：16kb DRAM和4kb SRAM问世； } n2-*{)x
1978年：64kb动态随机存储器诞生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管，标志着超大规模集成电路（VLSI）时代的来临； /_VRO9R\V
1979年：Intel推出5MHz 8088微处理器，之后，IBM基于8088推出全球第一台PC； RaM#@D7
2000年: 1Gb RAM投放市场； U>p lv
2000年：奔腾4问世，1.5GHz，采用0.18μｍ工艺； ;Xd\$)n
2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13μｍ工艺。 fw:^Lyn9$
2003年：奔腾4 E系列推出，采用90nm工艺。 Kt4\&l-De
2005年：intel 酷睿2系列上市，采用65nm工艺。 C)KtM YA,
2007年：基于全新45纳米High-K工艺的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。 @aiLG wh
2009年：intel酷睿i系列全新推出，创纪录采用了领先的32纳米工艺， -' H+lrmv
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并且下一代22纳米工艺正在研发。 "$V 8y
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