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2019-10-29 15:00 |
集成电路发展历史
集成电路发展历史 x$n~f:1Y
1947年：贝尔实验室肖克莱等人发明了晶体管，这是微电子技术发展中第一个里程碑； }@14E-N=
1950年：结型晶体管诞生； qEJ8o.D-=
1950年： R Ohl和肖特莱发明了离子注入工艺； ZS XRzH~0
1951年：场效应晶体管发明； ;4G\]%c)E{
1956年：C S Fuller发明了扩散工艺；
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1958年：仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史； H=&/ Q
1960年：H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺； 2]D$|M?$~
1962年：美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管； xegQ Rc
1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术，今天，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺； b6nZ55 h
1964年：Intel的摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍； "%E-X:Il#
1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世； :4 j a@~
1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM； #P%1{l5m
1985年：80386微处理器问世，20MHz； E69:bQ94u
1988年：16M DRAM问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管，标志着进入甚大规模集成电路（ULSI）阶段； X
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1989年：1Mb DRAM进入市场； N^\2
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1989年：486微处理器推出，25MHz，1μm工艺，后来50MHz芯片采用 0.8μm工艺； c6,s+^^
1992年：64M位随机存储器问世； G#e9 $!
1993年：66MHz奔腾处理器推出,采用0.6μｍ工艺； 1l+kO,X]
1995年：Pentium Pro, 133MHz，采用0.6-0.35μｍ工艺； n @ &"+
1997年：300MHz奔腾Ⅱ问世,采用0.25μｍ工艺； ]3t1=+
1999年：奔腾Ⅲ问世，450MHz，采用0.25μｍ工艺，后采用0.18μm工艺； 9zZ5Lr^21
1966年：美国RCA公司研制出CMOS集成电路，并研制出第一块门阵列（50门）； 2.LJp}>
1967年：应用材料公司（Applied Materials）成立，现已成为全球最大的半导体设备制造公司； y9C;T(oi;
1971年：Intel推出1kb动态随机存储器（DRAM），标志着大规模集成电路出现； *N-;V|{
1971年：全球第一个微处理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工艺，这是一个里程碑式的发明； ~=:2 ~$gsn
1974年：RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802； ~h)@e\Kc
1976年：16kb DRAM和4kb SRAM问世； v /R[?H)
1978年：64kb动态随机存储器诞生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管，标志着超大规模集成电路（VLSI）时代的来临； R9Sf!LR
1979年：Intel推出5MHz 8088微处理器，之后，IBM基于8088推出全球第一台PC； mRhd/|g*
2000年: 1Gb RAM投放市场； F qeV3 N
2000年：奔腾4问世，1.5GHz，采用0.18μｍ工艺； <NG/i i=
2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13μｍ工艺。 q=6Cc9FN
2003年：奔腾4 E系列推出，采用90nm工艺。 e1
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2005年：intel 酷睿2系列上市，采用65nm工艺。 4$
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2007年：基于全新45纳米High-K工艺的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。 M{?zvq?d
2009年：intel酷睿i系列全新推出，创纪录采用了领先的32纳米工艺， erx 5j\
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并且下一代22纳米工艺正在研发。 w9RF2J
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