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2019-10-29 15:00 |
集成电路发展历史
集成电路发展历史 ^ PD a
1947年：贝尔实验室肖克莱等人发明了晶体管，这是微电子技术发展中第一个里程碑； /g_}5s-Z
1950年：结型晶体管诞生； rsP1?Hxq
1950年： R Ohl和肖特莱发明了离子注入工艺； $`uL^ hlj]
1951年：场效应晶体管发明； Di&tm1R1
1956年：C S Fuller发明了扩散工艺； O9qEKW)a
1958年：仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史； LOQEU? z
1960年：H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺； iQA
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1962年：美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管； e]rWR
1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术，今天，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺； (j'[t
1964年：Intel的摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍； L:S[QwQu8
1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世； ;}r# 08I
1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM； O|8 p #
1985年：80386微处理器问世，20MHz； 0iwx$u 7[
1988年：16M DRAM问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管，标志着进入甚大规模集成电路（ULSI）阶段； N~a?0x
1989年：1Mb DRAM进入市场； N[AX29
1989年：486微处理器推出，25MHz，1μm工艺，后来50MHz芯片采用 0.8μm工艺； SL*B `P~{
1992年：64M位随机存储器问世； g n'. 9";j
1993年：66MHz奔腾处理器推出,采用0.6μｍ工艺； S3 &L
1995年：Pentium Pro, 133MHz，采用0.6-0.35μｍ工艺； E*CY/F I_
1997年：300MHz奔腾Ⅱ问世,采用0.25μｍ工艺； :HwB+Bjy
1999年：奔腾Ⅲ问世，450MHz，采用0.25μｍ工艺，后采用0.18μm工艺； 2r1., 1
1966年：美国RCA公司研制出CMOS集成电路，并研制出第一块门阵列（50门）； W# ev
1967年：应用材料公司（Applied Materials）成立，现已成为全球最大的半导体设备制造公司； VG)kPKoi
1971年：Intel推出1kb动态随机存储器（DRAM），标志着大规模集成电路出现； & 'R\yX<J)
1971年：全球第一个微处理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工艺，这是一个里程碑式的发明； !"_\5$5i<X
1974年：RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802； IAg#YFI
1976年：16kb DRAM和4kb SRAM问世； oas}8 A)
1978年：64kb动态随机存储器诞生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管，标志着超大规模集成电路（VLSI）时代的来临； 8)T.[AP
1979年：Intel推出5MHz 8088微处理器，之后，IBM基于8088推出全球第一台PC； M[SWMVN{
2000年: 1Gb RAM投放市场； aj1Zi3h
2000年：奔腾4问世，1.5GHz，采用0.18μｍ工艺； ^f@EDG8
2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13μｍ工艺。 ~ Z T (@w
2003年：奔腾4 E系列推出，采用90nm工艺。 )y._]is)b
2005年：intel 酷睿2系列上市，采用65nm工艺。 kvKbl;< &#
2007年：基于全新45纳米High-K工艺的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。 <D=U= 5
2009年：intel酷睿i系列全新推出，创纪录采用了领先的32纳米工艺， /-1[}h%U'
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并且下一代22纳米工艺正在研发。 {8'I+-
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