| 探针台 |
2019-09-10 13:59 |
晶圆测试及芯片测试
一、需求目的：1、热达标；2、故障少 Ub!MyXd{q
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 ^%tmHDNL.
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： j4>1a
1、顶层设计 ~p^&` FA
2、仿真 #]pFE.o
3、热设计及功耗 uc4#giCD
4、资源利用、速率与工艺 dUiv+K)ccQ
5、覆盖率要求 aj;OG^(!2_
6、 Xi`K`Cu+
四、具体到测试有哪些需要关注：
Kk|uN#m
1、可测试性设计 ^R riu $\
2、常规测试：晶圆级、芯片级 := !?W^J
3、可靠性测试 swEE >=
4、故障与测试关系 N9 yL(2
5、 4sOo>.<x
X;/~ d>@
测试有效性保证； $/sIdFZi
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ 7kJ =C
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 J+ tpBPmb
,q$'hY TaJ
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、 模拟信号参数测试。 KLi&T mIB
晶圆的工艺参数监测dice， k4Ed 7T-
芯片失效分析13488683602 P 5/\*~}
~kM# lh7At
co^kP##Y
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 R > 1
a(-
^ .w
.
Z 93S|q
*V}T}nK7
/, T@/
故障种类： rbfP6t:c3
缺陷种类： eiE36+'>b
针对性测试： 6 2{ (i'K
.;#W f @V
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test Hg<d%7.
S[g{
)p)
G
92\` Q
" tax
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； "SGq$3D
仿真与误差， BWRM
gN'.
预研阶段 r o:B[X E
顶层设计阶段 S+aXlb
模块设计阶段 36ygI0V_
模块实现阶段 )nn cCU W
子系统仿真阶段 BC|=-^(
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 $J]VY;C!
后端版面设计 |T!ivd1G
测试矢量准备 _`'VOY`o
后端仿真 |^: A,%>
生产 @ Gxnrh6
硅片测试 PtP{_9%Dz
顶层设计： F\L Aw#IJ
书写功能需求说明 tkQ#mipAj
顶层结构必备项 Pv@P(y?\
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 Vqr#%. N
完成顶层结构设计说明 gl k-: #
确定关键的模块（尽早开始） =gSa? pd
确定需要的第三方IP模块 `v;9!ReZ V
选择开发组成员 S.G"*' N
确定新的开发工具 s#phs `v
确定开发流程/路线 > J4Tk1//b
讨论风险 OQl7#`G!H%
预计硅片面积、输入/输出引脚数 开销和功耗 \53(D7 +
|
|