首页 -> 登录 -> 注册 -> 回复主题 -> 发表主题
光行天下 -> 光电资讯及信息发布 -> 芯片测试及晶圆测试 [点此返回论坛查看本帖完整版本] [打印本页]

探针台 2019-08-16 10:26

芯片测试及晶圆测试

J9=0?^v-:B  
一、需求目的:1、热达标;2、故障少 0\ w[_H  
二、细化需求,怎么评估样品:1、设计方面;2、测试方面 T_%]#M  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注: )$4DH:WN  
1、顶层设计 5t#]lg[06'  
2、仿真 b-zX3R;  
3、热设计及功耗 UYrzsUjg&  
4、资源利用、速率与工艺 "jc)N46  
5、覆盖率要求 sK/"  
6 2\tjeg  
四、具体到测试有哪些需要关注: "s<l Lgi  
1、可测试性设计 ~[y+B0I3  
2、常规测试:晶圆级、芯片级 }Q^a.`h  
3、可靠性测试 |B$\3,  
4、故障与测试关系 DMN H?6  
5 A":b_!sW  
W8h\ s {  
测试有效性保证; 5g>kr< K  
设计保证?测试保证?筛选?可靠性? "I FGW4FnL  
设计指标?来源工艺水平,模块水平,覆盖率 E(LE*J  
}F`2$ Q+CW  
晶圆测试:接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 $[CA#AXE  
晶圆的工艺参数监测dice Iw7r}G  
f:&OOD o  
gK\7^95  
芯片测试:ATE测试项目来源,边界扫描 azc:C  
mM{v>Em2K#  
   8vW`E_n  
故障种类: %<|KJb4?  
缺陷种类: 9,eR=M]+:  
针对性测试: r$Qh`[<  
AV3,4u  
性能功能测试的依据,可测试性设计:扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test Ka\b_P&  
xG/qDc  
xumv I{  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系; qDd/wR,44  
仿真与误差, VVl-cU  
n 预研阶段 q#3X*!)  
n 顶层设计阶段  Bt3=/<.\  
n 模块设计阶段 lFY8^#@  
n 模块实现阶段 r!,V_a4n  
n 子系统仿真阶段 bI(98V,t  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 " <a|Q,!  
n 后端版面设计 P[8N58#  
n 测试矢量准备 17MjIX  
n 后端仿真 "]Td^Nxi  
n 生产 ?} tQaj  
n 硅片测试 C~V$G}mM  
顶层设计: j!7Uj]  
n 书写功能需求说明 z1s"C[W2T  
n 顶层结构必备项 J3+8s [oJ>  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 lIP<`6=4  
n 完成顶层结构设计说明 .Kwl8xRg  
n 确定关键的模块(尽早开始) AI;=k  
n 确定需要的第三方IP模块 \hN2w]e  
n 选择开发组成员 t&]Mt 7  
n 确定新的开发工具 ,0~TvJS  
n 确定开发流程/路线 5V bNWrw  
n 讨论风险 cpnwx1q@  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 1Di&vpn0u  
n 国软检测 芯片失效分析中心
查看本帖完整版本: [-- 芯片测试及晶圆测试 --] [-- top --]

Copyright © 2005-2026 光行天下 蜀ICP备06003254号-1 网站统计