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2019-08-14 09:58 |
化学机械抛光液(CMP)氧化铝抛光液
化学机械抛光液行业研究 ZCw]m#lS 4i bc 一、行业的界定与分类 K3C <{#r x-c"%Z| (一)化学机械抛光 M|-)GvR$J Kw}'W
8` c 1、化学机械抛光概念 -Za/p@gM pAEx#ck 化学机械抛光(英语:Chemical-Mechanical Polishing,缩写CMP),又称化学机械平坦化(英语:Chemical-Mechanical Planarization),是半导体器件制造工艺中的一种技术,用来对正在加工中的硅片或其它衬底材料进行平坦化处理。 t^HRgY'NjM u2I Cl 2、CMP工艺的基本原理 [aS*%Heu %y@AA>x! 基本原理是将待抛光工件在一定的下压力及抛光液(由超细颗粒、化学氧化剂和液体介质组成的混合液)的存在 下相对于一个抛光垫作旋转运动,借助磨粒的机械磨削及化学氧化剂的腐蚀作用来完成对工件表面的材料去除,并获得光洁表面。 :&Nbw 8L XHk l 3、CMP技术所采用的设备及消耗品 <3iMRe E^PB)D(. 主要包括,抛光机、 抛光液、抛光垫、后CMP清洗设备、抛光终点检测及工艺控制设备、废物处理和检测设备等,其中抛光液和抛光垫为消耗品。 Z)!C'c b
c> af 4、CMP过程 0x7'^Z>-oe 3T
9j@N77 过程主要有抛光、后清洗和计量测量等部分组成,抛光机、抛光液和抛光垫是CMP工艺的3大关键要素,其性能和相互匹配决定CMP能达到的表面平整水平。 TC. ,V_ R]dg_Da 5、CMP技术的优势 VQI3G ivPg9J1S 最初半导体基片大多采用机械抛光的平整方法,但得到的表面损伤极其严重,基于淀积技术的选择淀积、溅射玻璃SOG(spin-on-glass)、低压CV D(chemicalvaporde-posit)、等离子体增强CVD、偏压溅射和属于结构的溅射后回腐蚀、热回流、淀积-腐蚀-淀积等方法也曾在IC工艺中获得应用,但均属局部平面化技术,其平坦化能力从几微米到几十微米不等,不能满足特征尺寸在0.35μm以下的全局平面化要求。1991年IBM首次将化学机械抛光技术成功应用到64MbDRAM的生产中,之后各种逻辑电路和存储器以不同的发展规模走向CMP,CMP将纳米粒子的研磨作用与氧化剂的化学作用有机地结合起来,满足了特征尺寸在0.35μm以下的全局平面化要求,CMP可以引人注目地得到用其他任何平面化加工不能得到的低的表面形貌变化。目前,化学机械抛光技术已成为几乎公认为惟一的全局平面化技术,其应用范围正日益扩大。 Ru XC(qcq g0
[w-?f (二)化学机械抛光液 l%ZhA=TKQ l,
wp4Ll 1、化学机械抛光液概念 Bq>m{ 67TwPvh 化学机械抛光液是在利用化学机械抛光技术对半导体材料进行加工过程中的一种研磨液体,由于抛光液是CMP的关键要素之一,它的性能直接影响抛 光后表面的质量,因此它也成为半导体制造中的重要的、必不缺少的辅助材料。 4 :=]<sc, p<2,=*2 2、化学机械抛光液的组成 ?upM>69{ hph4 `{T 化学机械抛光液的组成一般包括一般由超细固体粒子研磨剂(如纳米SiO2、Al2O3粒子等)、表面活性剂、稳定剂、氧化剂等。固体粒子提供研磨作用,化学氧化剂提供腐蚀溶解作用,由于SiO2粒子去除率最高,得到的表面质量最好,因此在硅片抛光加工中主要采用SiO2抛光液, \jA~9 Bt#N4m[X*| 3、化学机械抛光液的分类 ,[Fb[#Qqb S'14hk< 抛光工艺中有粗抛光和精抛光之分,故有粗抛光液和精抛光液品种之分。 "KlwA.7/ v:p} B$ 4、CMP过程中对抛光液性能的要求 /=h` L, ^.G$Q# y, 抛光液的浓度、磨粒的种类、大小、形状及浓度、抛光液的粘度、pH值、流速、流动途径对去除速度都有影响。 zL it F?cK-. (三)化学机械抛光液的应用领域 +#By*;BJ -/k 3a*$/ 化学机械抛光液作为半导体工艺中的辅助材料,主要应用于抛光片和分立器件制造过程中的抛光过程。因此,抛光液主要应用于半导体行业(抛光片和分立器件)、集成电路行业和电子信息产业。 :4s1CC+@\ :EH=_" 二、原材料供应商 t
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cAy3^{3: 由于目标产品的具体成分不详,暂略。 C?Ucu]cW ~Z+%d9ode 三、化学机械抛光液行业现状 3F0 N^)@ 9cgUT@a (一)抛光液行业现状 2%>FR4a -+5>|N# 化学机械抛光技术是半导体晶片表面加工的关键技术之一,并用于集成电路制造过程的各阶段表面平整化,而抛光液对抛光效率和加工质量有着重要的影响,但由于具有很高的技术要求,目前商业化的抛光液配方处于完全保密状态,主要集中在美国、日本、韩国。这也导致在我国半导体硅抛光片加工中,所使用的抛光液绝大多数都要靠进口。尽管我国目前在抛光液行业现已发展到有几十家的企业,但是真正涉足到半导体硅片抛光液制造、研发方面的企业很少。无论是产品质量上、还是在市场占有率方面,国内企业都表现出与国外厂家具有相当的差距。 s(^mZ
-i j4b4!^fV 1、国际市场主要抛光液企业分析 &R siVBA V:27)]q 美国Rodel公司; Ug`djIL 美国杜邦(DUPON)公司; Wf<LR3 美国Cabot公司; fatf*}eln 美国Eka 公司; Bf:Q2slqI Ferro; a>)f=uS 日本FUJIMI 公司; i&k7-< 日本Hinomoto Kenmazai Co. Ltd; a6H%5N 韩国ACE高科技株式会社。 -DCbko <X5fUU"+U 2、我国抛光液行业运行环境分析 <1pEwI~ J=L5=G7( 1)我国宏观经济环境分析 kR9-8I{J 发生在2007年的美国次贷危机引发的全球金融危机将深刻地改变国际经济环境和秩序,为已经快速发展了30年的中国经济带来了新的机会和挑战。中国经济率先恢复,2009年成功“保八”,2010年将保持经济平稳较快发展,重新启动和加快经济结构调整步伐,转变经济发展模式。未来5年(20112015),国际经济和金融环境开始发生结构性的转变,中国面临全面和加速金融开放的机遇和压力。 d"NLE'R T Ge_G_'o 2)相关政策 Ha#>G<;n 见附件 相关政策 2[CdZ(k]5 '2O\_Uz 3)抛光液行业技术现状 <1%$Vq dTtSUA|V7" 3、我国抛光液行业现状分析 b6 M 8V(pugJ 1)生产情况 MW{8VH6+ 2)价格走势 `W-Fssu 3)技术水平 .mAjfP* 4)销售模式 oRzi>rr oE~Bq/p 4、我国抛光液行业重点企业竞争分析 5-G@L?~Vw !Uc T RI 浙江湖磨抛光磨具制造有限公司; =2 kG%9 阳江市伟艺抛磨材料有限公司; \;-|-8Q 包头天骄清美稀土抛光粉有限公司; 2
FFD%O05 成都君臣科技有限责任公司; cAc@n6[`3 上海杰信抛磨材料有限公司; d| {r5[& 北京国瑞升科技有限公司; 0^ibNiSP 三和研磨材料(广东)有限公司; H.2QKws^F 佛山市奇亮磨具有限公司; HmwT~ 湖州中云机械制造有限公司; m`_ONm'T& 具体见附件 相关重点竞争力公司概况 UDni]P!E *,m; (二)抛光液行业发展趋势 ERt{H3eCcJ E!#WnSpnK 随着电子信息材料的总体发展趋势是向着大尺寸、高均匀性、高完整性、以及薄膜化、多功能化和集成化方向发展,半导体微电子材料通过不断缩小器件的特征尺寸,增加芯片面积以提高集成度和信息处理速度,由单片集成向系统集成发展。对抛光液的要求也会更高。 ]fD}
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{"?%Ku# (三)抛光液行业发展的问题 ~nPtlrQa#* .6V}3q$-@ 1、技术难题 x;')9/3 2、市场竞争难题 B]$GSEB 1)替代国外产品 Gbw2E&a | |