首页
->
登录
->
注册
->
回复主题
->
发表主题
光行天下
->
光电资讯及信息发布
->
双束聚焦离子束(Dual Beam FIB)
[点此返回论坛查看本帖完整版本]
[打印本页]
探针台
2019-08-07 10:45
双束聚焦离子束(Dual Beam FIB)
WWs[]zr
Dual Beam FIB(双束聚焦离子束)
rPGE-d3
双束聚焦离子束是一种多用途的分析技术,可以用于样品定位切割并将隐藏在各种基底材料中的缺陷揭露出来。最常见的用途之一就是制备TEM样品。双束FIB可以通过切断/连接芯片线路来进行芯片线路修改。
优势
局限
2hA66ar{$
- 横截面缺陷
~S=fMv^BR
- TEM快速样品制备
m6Cd^'J9^
- 线路修改
,a_{ Y+
- 借助EDX配件进行元素定量分析
10I`AjF0
- 晶片尺寸需要小于150mm
OTHd1PSOu
- 瀑布效应有时会给分析造成不便
FZ.z'3I
Pc; 14M
9oxf)pjw
L型横截面分析
=|V]8 tN
TYS\:ZdXF
锡须生长机理分析
查看本帖完整版本: [--
双束聚焦离子束(Dual Beam FIB)
--] [--
top
--]
Copyright © 2005-2026
光行天下
蜀ICP备06003254号-1
网站统计