| 探针台 |
2019-07-31 16:22 |
离子刻蚀RIE干法刻蚀
主要用途 $T hkK3
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器件表面图形的刻蚀。 \\Fl,'
(|Y[5O)
性能参数 'd D d9
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a)可实现各向异性刻蚀，工艺稳定，重复性好； *.8@ hPy
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b)射频功率源：600瓦，频率13.56MHz； I)U|~N
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c)刻蚀时间可调范围：10s-1800s K!lGo3n]
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配置3路MFC aqK<}jy
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应用范围 -^Baxkq(YM
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对Si、 Poly-Si、 SiO2、 Si3N4、 PI、 Ti、 Ta、 Mo等物质进行各项异性刻蚀后的观察。
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