| 探针台 |
2019-07-31 16:22 |
离子刻蚀RIE干法刻蚀
主要用途 (Tbw@BFk
15L0B5(3
器件表面图形的刻蚀。 o9 g0fC
)<8f3;qd
性能参数 +:D90p$e
/GDG E }
a)可实现各向异性刻蚀，工艺稳定，重复性好； [p gld9To
lM W4SRk1C
b)射频功率源：600瓦，频率13.56MHz； ")?N Cun>
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c)刻蚀时间可调范围：10s-1800s #nS[]UbwZ
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d) qt&zo5
配置3路MFC 9p '#a:
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应用范围 Qin;{8I0
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对Si、 Poly-Si、 SiO2、 Si3N4、 PI、 Ti、 Ta、 Mo等物质进行各项异性刻蚀后的观察。
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