| 探针台 |
2019-07-31 16:22 |
离子刻蚀RIE干法刻蚀
主要用途 #o,FVYYj
h8-uI.RZ
器件表面图形的刻蚀。 f8G<5_!K_
sHPj_d#
性能参数 ;= 1[D
b$- g"F
a)可实现各向异性刻蚀，工艺稳定，重复性好； c= ?Tu
d=
?lPEzSA
b)射频功率源：600瓦，频率13.56MHz； 0uIBaW3s
|?hsMN
c)刻蚀时间可调范围：10s-1800s \tY7Ga%c
M 1T .
d) L+eK)Q
配置3路MFC 87m`K Str7
mx#)iHY
j?g#8L;W\w
应用范围 "xn,' `a
` k(Q:
对Si、 Poly-Si、 SiO2、 Si3N4、 PI、 Ti、 Ta、 Mo等物质进行各项异性刻蚀后的观察。
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