| 探针台 |
2019-07-31 16:22 |
离子刻蚀RIE干法刻蚀
主要用途 YRJw,xl
+ Scw;gO
器件表面图形的刻蚀。 X h"8uJD
A$ o ?_
性能参数 Z66q0wR7
6?KJ"Ai9
a)可实现各向异性刻蚀，工艺稳定，重复性好； 9Zpd=m8dU
FFID<L f/2
b)射频功率源：600瓦，频率13.56MHz； #Ue_
VeWvSIP,EQ
c)刻蚀时间可调范围：10s-1800s |1^
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d) i 9w k)
配置3路MFC ffS] %qa
^Euqy,8}
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应用范围 MbjMO"}
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对Si、 Poly-Si、 SiO2、 Si3N4、 PI、 Ti、 Ta、 Mo等物质进行各项异性刻蚀后的观察。
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