| 探针台 |
2019-07-31 16:22 |
离子刻蚀RIE干法刻蚀
主要用途 o)]mJb~XG-
GZt L-
器件表面图形的刻蚀。 WeiDg,]e$b
&02I-lD4+
性能参数 qP k`e}D
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a)可实现各向异性刻蚀，工艺稳定，重复性好； :3N&&]
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b)射频功率源：600瓦，频率13.56MHz； )W,.xP
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c)刻蚀时间可调范围：10s-1800s ?se\?q
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d) wl.a|~-
配置3路MFC h1
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应用范围 vrq5 +K&||
HD_ #-M
对Si、 Poly-Si、 SiO2、 Si3N4、 PI、 Ti、 Ta、 Mo等物质进行各项异性刻蚀后的观察。
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