| 探针台 |
2019-07-31 16:22 |
离子刻蚀RIE干法刻蚀
主要用途 WV8?zB1
#P''+$5,
器件表面图形的刻蚀。 =%Yw;% 0)Y
w=txSF&Qr
性能参数 J|Xu]fg0
?R ;K`f9<
a)可实现各向异性刻蚀，工艺稳定，重复性好； 52L* :|b
P i lV5Gg
b)射频功率源：600瓦，频率13.56MHz； wv ~?<DF
Owa]ax5
c)刻蚀时间可调范围：10s-1800s r,` 5 9
WRWcB
d) o.Jq1$)~y
配置3路MFC
.L X8ko
b)eKa 40Z
J:c]z9&!
应用范围 \AT]$`8@_
\40d? N#D
对Si、 Poly-Si、 SiO2、 Si3N4、 PI、 Ti、 Ta、 Mo等物质进行各项异性刻蚀后的观察。
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