| 探针台 |
2019-07-31 16:22 |
离子刻蚀RIE干法刻蚀
主要用途 }NBJ T4R
3Q~&xNf
器件表面图形的刻蚀。 , sJfMY
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性能参数 XK/@!ud"`
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a)可实现各向异性刻蚀，工艺稳定，重复性好； p;t!"I:`?
dD n4nwH
b)射频功率源：600瓦，频率13.56MHz； }~C ZqIP
qf=[*Z Y
c)刻蚀时间可调范围：10s-1800s y{?jr$js<
+95dz?~
d) H$z+g bjJ
配置3路MFC pbvEIa-Y4
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I y4M MU
应用范围 ;,})VoC\!
l(#Y8
对Si、 Poly-Si、 SiO2、 Si3N4、 PI、 Ti、 Ta、 Mo等物质进行各项异性刻蚀后的观察。
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