| 探针台 |
2019-07-31 16:22 |
离子刻蚀RIE干法刻蚀
主要用途 H4Ek, m|c
cA2]VL.r>C
器件表面图形的刻蚀。 o]U ==
e)"cm;BJ^P
性能参数 Bx >@HU
rID]!7~
a)可实现各向异性刻蚀，工艺稳定，重复性好； B=|sLs`I
E5Jk+6EcMa
b)射频功率源：600瓦，频率13.56MHz； S:QEHd_C
|-D.
c)刻蚀时间可调范围：10s-1800s h zE)>f
S5TT
d) h %S#+t(Bf
配置3路MFC 'L/TaP/3
-<=< T@,
k<H&4Z)d9
应用范围 8<!9mgh
b\Ub<pE
对Si、 Poly-Si、 SiO2、 Si3N4、 PI、 Ti、 Ta、 Mo等物质进行各项异性刻蚀后的观察。
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