| 探针台 |
2019-07-31 16:17 |
漏电定位EMMI
主要用途 %-l:_A
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当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 ^JtHTLHL=
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性能参数 sP g6eAd~?
C.E> )
a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； 5Mr;6
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$ Jm2,Yv
b)侦测波长范围900nm - 1700nm g8+,wSE
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c)像素尺寸：30um x 30um pYVy(]1I(3
H040-Q;S'
d)曝光时间 20ms - 400s y.:-
Yd;r8rN
e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x ['emP1g ~
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f)Back side EMMI d5y2Y /QO
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应用范围 ~{YgM/c|dt
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1.P-N接面漏电
- C
ON
_CJr6Evs
2.饱和区晶体管的热电子 uS#Cb+*F
!>y}Xq{bm3
3.P-N接面崩溃 ,R}KcZG)
E$tk1SVo
4.闩锁效应 a<'$` z|s
THgzT\_zq
5.氧化层漏电流产生的光子激发
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