| 探针台 |
2019-07-31 16:17 |
漏电定位EMMI
主要用途 ]gcOMC
`}=R
当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 eeCG#NFY5
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c6 mS
性能参数 b6f OHy
Hh=fv~X
a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； x$BNFb%I1
Yn= "vpM1
b)侦测波长范围900nm - 1700nm MU
a[}?
;j1E 6
c)像素尺寸：30um x 30um Gg9MAK\ C9
c5W MN.z
d)曝光时间 20ms - 400s ~i%=1&K&`
9N9&y^SmD
e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x #Iz)Mu
-9= DDoO
f)Back side EMMI 4y7_P0}: B
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Fk 3(( n=
应用范围 A<)n H=G&
8ex;g^e
1.P-N接面漏电 N?vb^?
7<WS@-2I#
2.饱和区晶体管的热电子 oxc; DfJ_
; o_0~l=-/
3.P-N接面崩溃 [ZSC] w^
o6O-\d7^M
4.闩锁效应 nI6om pTX
Zh fg
5.氧化层漏电流产生的光子激发
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