| 探针台 |
2019-07-31 16:17 |
漏电定位EMMI
主要用途 1ed^{Wa4$9
WR u/7$8
当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 lk` |u$KPz
JEK _W<BD
JE# H&]
性能参数 ,Xg^rV~]
\9~Q+~@{G
a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； +jS<n13T
UR(i_T&w
b)侦测波长范围900nm - 1700nm :2+z_+k}<
rCb$^(w{7
c)像素尺寸：30um x 30um Jx Kd
x TqP`ljX
d)曝光时间 20ms - 400s brK7|&R<
ztAC3,r]
e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x +: Nz_l
e.Jaq^Gw|
f)Back side EMMI . yHK
7\ X_%SM %
Ft}nG&D
应用范围 ?X\ uzu
? m9=Me
1.P-N接面漏电 -=n!k^?lK
A'"J'q*t
2.饱和区晶体管的热电子 9!0- ~,o
~mZ[@ Z
3.P-N接面崩溃 LoSrXK~0~J
}9 N-2]
4.闩锁效应 /g8nT1k
jaIcIc=Pf
5.氧化层漏电流产生的光子激发
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