| 探针台 |
2019-07-31 16:17 |
漏电定位EMMI
主要用途 6JKqn~0K k
JaB<EL-9r2
当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 O KF tl
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性能参数 nL V9<M
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a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； L%>n>w
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b)侦测波长范围900nm - 1700nm ` ,P h/oM
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c)像素尺寸：30um x 30um 6252N]*
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d)曝光时间 20ms - 400s h6} lpd
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e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x %/9
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f)Back side EMMI me OMq1
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应用范围 i\W/C
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1.P-N接面漏电 qIld;v8w"g
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2.饱和区晶体管的热电子 26xXl|I
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3.P-N接面崩溃 ei
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4.闩锁效应 AE} )o)B
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5.氧化层漏电流产生的光子激发
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