| 探针台 |
2019-07-31 16:17 |
漏电定位EMMI
主要用途 NJ<N %hcjK
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当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 WI6(#8^p
W;.{]x.0
V+46R
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性能参数 wajZqC2yg
z<t>h zl 7
a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； (oF-O{
s*f1x N<
b)侦测波长范围900nm - 1700nm q 4) Ey
#J\s%60p t
c)像素尺寸：30um x 30um zLL)V FCJW
]Ym=+lgi
d)曝光时间 20ms - 400s BO"qD[S
vffH
e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x :Z[(A"dA
5E`JD
f)Back side EMMI 5\&]J7(
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应用范围 ^Wm*-4
1#]B^D
1.P-N接面漏电 w]F!2b!
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2.饱和区晶体管的热电子 \TZ|S,FS
^( DL+r,
3.P-N接面崩溃 l QWBCJ8y
Wa<-AZnh
4.闩锁效应 HJ", Sle
U:\p$ hL9
5.氧化层漏电流产生的光子激发
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