| 探针台 |
2019-07-31 16:17 |
漏电定位EMMI
主要用途
VIaj])m
N 6Dv1_c,
当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 z+K Z6h
e=+q*]>
!?" pnKb}
性能参数 H#M;T jR
^HU>fkSk
a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； WDI3*
dVMLn4[,MA
b)侦测波长范围900nm - 1700nm 1,Jy+1G0w
X4L@|"ZI
c)像素尺寸：30um x 30um YZAQ t* x
ydMhb367|
d)曝光时间 20ms - 400s m=TZfa^r
j$<g8Bg=o
e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x mA#;6?6
Wj 8WT)cB
f)Back side EMMI 2UopGxrPKw
vR
(nd
7[0<,O6Q
应用范围 dkW 7k^g
Qb7&S5m
1.P-N接面漏电 _$/Bt?h
3vkzN
2.饱和区晶体管的热电子 nchpD@'t
%!D Tq` F
3.P-N接面崩溃 C)~%(< D
s )Xz}QPK.
4.闩锁效应 /z(d!0_q|v
a]J>2A@-I
5.氧化层漏电流产生的光子激发
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