| 探针台 |
2019-07-31 16:17 |
漏电定位EMMI
主要用途 P)06<n1">Z
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当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 5S%#3YHY2
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性能参数 {mB &xz:b
[mG:PTK3
a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； _I #a `G
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b)侦测波长范围900nm - 1700nm y6Ea_v
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c)像素尺寸：30um x 30um NYF
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d)曝光时间 20ms - 400s qoJ<e`h}
\7tJ)[0aF
e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x Ec eD\ }
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f)Back side EMMI kwpbg Q
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应用范围 .^!uazPE0
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1.P-N接面漏电 Xwk_QFv3
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2.饱和区晶体管的热电子 ~5wT|d
"I^pb.3
3.P-N接面崩溃 6vebGf
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4.闩锁效应 Q`(h
Gbc2\ A\
5.氧化层漏电流产生的光子激发
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