| 探针台 |
2019-07-31 16:17 |
漏电定位EMMI
主要用途 fqNh\~kja
L kt4F
当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 ,+=9Rp`md
%b6$N_M{H1
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性能参数 Kkvc Zs'4m
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a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； }K {1Bm@S
:6n#y-9^1
b)侦测波长范围900nm - 1700nm 9:j?Jvw$
5E!C?dv(z
c)像素尺寸：30um x 30um H4$qM_N
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d)曝光时间 20ms - 400s 3Cf9'C
5cSiV7#Y:
e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x MK&,2>m,A
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f)Back side EMMI j-<]O OD
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应用范围 ' \JE>#
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1.P-N接面漏电 asWk]jjMG
:@A&HkF
2.饱和区晶体管的热电子 u'YXI="(
M'*s5:i
3.P-N接面崩溃 S{c/3k ~
-Q
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4.闩锁效应 z.vQ1~s
=i/Df ?
5.氧化层漏电流产生的光子激发
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