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hl594566271 2019-04-02 14:57

塑胶镜片RF离子源辅助镀膜参数问题

设备  OTFG1300    17cm RF源  电子枪,镀膜材料及IAD参数:OS-50(BV 400v,BI 550mA    / 硅铝混合物(BV:300V,BI 450mA) _f2(vWCW;J  
目前环测无问题,但85℃水煮15-20分钟就会膜层脱落明显低于霍尔源所做产品,且强光照射1000小时膜层脱落,环测条件如下: r!j_KiUy  
1、高温高湿存储:70℃;90+/-5% RH ;72H. 9?@M Zh  
2、高低温冲击:50次;-40℃~100℃; {n2jAR9nq  
T1=T2=0.5H(恒温时间)T3=5min(温度切换时间) JZ80|-c  
3、高温烘烤:100℃,24H i>>_S&!9p  
环测后不可出现膜裂,脱膜和其他膜层异常现象; :\gdQG  
环测前后需符合镀膜附着力测试要求:同一位置分别用3M胶带贴紧 Tig`4d-%  
并迅速撕开重复三次无膜脱落 ZShRE"`  
If2f7{b  
求助有没有朋友使用过此机台做过塑胶镜片,交流下离子源参数
zm8339 2019-04-24 17:06
硅铝不开离子源试试
ouyuu 2019-04-27 22:01
这种条件就该用霍尔源做。 MhWmY[  
镀膜前先用离子源轰击一下, 2NqlE  
然后氧化铝打底, ')+'m1N  
离子源电压稍微高一点,电流开最大。 x4R[Q&:M  
以片子不变形为限
sosjinyan 2019-04-30 17:03
我这里最近也在做这个实验,H4 SIO2   6层膜  H4打底,且H4层都比较薄。  会出现膜裂情况,而且膜裂几率挺高的。   op/|&H'  
镀膜温度80℃。  是不是得换下试料,或者降低温度?  温度越高 结合力越好?
sosjinyan 2019-04-30 17:09
听人说树脂镜片,  镀膜设备要配CP。  我的机器配的DP,我这正抽空做实验了。
hl594566271 2019-05-08 17:05
sosjinyan:我这里最近也在做这个实验,H4 SIO2   6层膜  H4打底,且H4层都比较薄。  会出现膜裂情况,而且膜裂几率挺高的。   T;-&3  
镀膜温度80℃。  是不是得换下试料,或者降低温度?  温度越高 结合力越好? (2019-04-30 17:03)  2I3MV:5  
[z'PdYQR/{  
如果不掉膜只是裂应该是应力问题,考虑换材料和调整蒸发参数,树脂片一定要IAD的
hl594566271 2019-05-08 17:07
ouyuu:这种条件就该用霍尔源做。 wK>a&`<  
镀膜前先用离子源轰击一下, <]1Z  
然后氧化铝打底, 0&XdCoIe  
离子源电压稍微高一点,电流开最大。 #X1iig+  
以片子不变形为限 (2019-04-27 22:01)  .dM4B'OA?  
A/:^l%y,GZ  
谢谢!我先试下,但根据以往测试发现霍尔源做的产品耐高温性能差一些
hl594566271 2019-05-08 17:09
zm8339:硅铝不开离子源试试 (2019-04-24 17:06)  `hpX97v  
%BBM%Lj  
不开试过了,没有发现明显差异,倒是加大低折射材料的离子束能量有改善,怀疑还是应力匹配的问题
sosjinyan 2019-05-15 11:15
hl594566271:如果不掉膜只是裂应该是应力问题,考虑换材料和调整蒸发参数,树脂片一定要IAD的 (2019-05-08 17:05)  THN/ /}d  
HP,sNiw  
多谢, 准备换ZRO2。我了解的一个公司,树脂镜片工艺,用的CP泵,没用离子源。 想问问不用离子源,影响大吗?   我的机器倒是配了,霍尔离子源,但是非常不好用,镀10锅(AR膜),枪丝就断了。 我感觉枪丝使用时间太短了。 &hnI0m=X  
hl594566271 2019-05-16 13:57
sosjinyan:多谢, 准备换ZRO2。我了解的一个公司,树脂镜片工艺,用的CP泵,没用离子源。 想问问不用离子源,影响大吗?   我的机器倒是配了,霍尔离子源,但是非常不好用,镀10锅(AR膜),枪丝就断了。 我感觉枪丝使用时间太短了。 '_~qAx@F#c  
 (2019-05-15 11:15)  }N0$DqP  
AY x*Ngn  
不开影响挺大的,折射率、附着力都会差一点。霍尔源的阴极灯丝只能用那么久,定期更换就行了
sosjinyan 2019-05-21 08:32
我看过一台机器,和楼主的配置差不多。  OTFC1300? 配的RF源,用的电压参数比你的高。  TA2O5   1100V 900mA      SIO2   900V 900mA        最高上限1500V      2000mA
17873333033 2020-03-16 19:00
离子源的好处就在于增加致密性,为什么不开?还有就是你第一层的选择上面有问题,第一层打底最好选亲密性好的药材,这个工艺我做过很多次,没点问题,你可以加我微信,细节上面我教你:17873333033
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