塑胶镜片RF离子源辅助镀膜参数问题

设备 OTFG1300 17cm RF源电子枪，镀膜材料及IAD参数：OS-50(BV 400v,BI 550mA / 硅铝混合物(BV:300V,BI 450mA)
目前环测无问题，但85℃水煮15-20分钟就会膜层脱落明显低于霍尔源所做产品，且强光照射1000小时膜层脱落，环测条件如下：
1、高温高湿存储：70℃；90+/-5% RH ；72H.
2、高低温冲击：50次；-40℃~100℃；
T1=T2=0.5H（恒温时间）T3=5min（温度切换时间）
3、高温烘烤：100℃，24H
环测后不可出现膜裂，脱膜和其他膜层异常现象；
环测前后需符合镀膜附着力测试要求：同一位置分别用3M胶带贴紧
并迅速撕开重复三次无膜脱落

求助有没有朋友使用过此机台做过塑胶镜片，交流下离子源参数

zm8339	2019-04-24 17:06
硅铝不开离子源试试

ouyuu	2019-04-27 22:01
这种条件就该用霍尔源做。 hY-;Vh0J 镀膜前先用离子源轰击一下， a0=5G>G9c 然后氧化铝打底， o,;Hb4Eu 离子源电压稍微高一点，电流开最大。 s0bWg$ 以片子不变形为限

sosjinyan	2019-04-30 17:03
我这里最近也在做这个实验，H4 SIO2 6层膜 H4打底，且H4层都比较薄。会出现膜裂情况，而且膜裂几率挺高的。 oiY&O]} 镀膜温度80℃。是不是得换下试料，或者降低温度？温度越高结合力越好？

sosjinyan	2019-04-30 17:09
听人说树脂镜片，镀膜设备要配CP。我的机器配的DP，我这正抽空做实验了。

hl594566271

2019-05-08 17:05

sosjinyan:我这里最近也在做这个实验，H4 SIO2 6层膜 H4打底，且H4层都比较薄。会出现膜裂情况，而且膜裂几率挺高的。 &+Iv"9
镀膜温度80℃。是不是得换下试料，或者降低温度？温度越高结合力越好？ (2019-04-30 17:03) It .`

如果不掉膜只是裂应该是应力问题，考虑换材料和调整蒸发参数，树脂片一定要IAD的

hl594566271	2019-05-08 17:07
ouyuu:这种条件就该用霍尔源做。 qf7oG0 镀膜前先用离子源轰击一下， L`M.Htm8 然后氧化铝打底， 4R~f 离子源电压稍微高一点，电流开最大。 %bp8VR sY 以片子不变形为限 (2019-04-27 22:01) Hik :Sqpox 5:o$]LkOWC 谢谢！我先试下，但根据以往测试发现霍尔源做的产品耐高温性能差一些

hl594566271	2019-05-08 17:09
zm8339:硅铝不开离子源试试 (2019-04-24 17:06) vtv^l3 cNX0.7Ls 不开试过了，没有发现明显差异，倒是加大低折射材料的离子束能量有改善，怀疑还是应力匹配的问题

sosjinyan

2019-05-15 11:15

hl594566271:如果不掉膜只是裂应该是应力问题，考虑换材料和调整蒸发参数，树脂片一定要IAD的 (2019-05-08 17:05) (6aSDx Sc

多谢，准备换ZRO2。我了解的一个公司，树脂镜片工艺，用的CP泵，没用离子源。想问问不用离子源，影响大吗？我的机器倒是配了，霍尔离子源，但是非常不好用，镀10锅（AR膜），枪丝就断了。我感觉枪丝使用时间太短了。

hl594566271

2019-05-16 13:57

sosjinyan:多谢，准备换ZRO2。我了解的一个公司，树脂镜片工艺，用的CP泵，没用离子源。想问问不用离子源，影响大吗？我的机器倒是配了，霍尔离子源，但是非常不好用，镀10锅（AR膜），枪丝就断了。我感觉枪丝使用时间太短了。 c+6/@y
(2019-05-15 11:15) rjmKe*_1V

不开影响挺大的，折射率、附着力都会差一点。霍尔源的阴极灯丝只能用那么久，定期更换就行了

sosjinyan	2019-05-21 08:32
我看过一台机器，和楼主的配置差不多。 OTFC1300？配的RF源，用的电压参数比你的高。 TA2O5 1100V 900mA SIO2 900V 900mA 最高上限1500V 2000mA

17873333033	2020-03-16 19:00
离子源的好处就在于增加致密性，为什么不开？还有就是你第一层的选择上面有问题，第一层打底最好选亲密性好的药材，这个工艺我做过很多次，没点问题，你可以加我微信，细节上面我教你：17873333033

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