sosjinyan:我这里最近也在做这个实验,H4 SIO2 6层膜 H4打底,且H4层都比较薄。 会出现膜裂情况,而且膜裂几率挺高的。 8,Yc1 镀膜温度80℃。 是不是得换下试料,或者降低温度? 温度越高 结合力越好? (2019-04-30 17:03) *%ZfE,bu8<
ouyuu:这种条件就该用霍尔源做。 3p!R4f)GN 镀膜前先用离子源轰击一下, b^Rg_,s 然后氧化铝打底, MrOW&7 离子源电压稍微高一点,电流开最大。 ~ D3'-,n[ 以片子不变形为限 (2019-04-27 22:01) s_`wLQ7e
zm8339:硅铝不开离子源试试 (2019-04-24 17:06) []LNNO],X
hl594566271:如果不掉膜只是裂应该是应力问题,考虑换材料和调整蒸发参数,树脂片一定要IAD的 (2019-05-08 17:05) 3s>&h-E
sosjinyan:多谢, 准备换ZRO2。我了解的一个公司,树脂镜片工艺,用的CP泵,没用离子源。 想问问不用离子源,影响大吗? 我的机器倒是配了,霍尔离子源,但是非常不好用,镀10锅(AR膜),枪丝就断了。 我感觉枪丝使用时间太短了。 P^1rNB (2019-05-15 11:15) @rVmr{UE
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