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liuwenbo1991	2018-10-17 10:21
镀完膜后发雾基材：SI片膜料：GE+ZNS 镀膜波段近紫外到14um，电子枪蒸发镀膜，Mark II+离子源。镀完膜后SI片发雾，通过调节镀膜工艺（包括镀膜温度，材料沉积速率，离子源参数等等后依然发雾，哪位大咖有遇到过这种问题，帮忙解惑，谢谢

rexchou	2018-10-19 17:15
之前遇過發霧情況,是離子源被汙染到. [58xT>5`m 請參考~

ouyuu	2018-10-20 20:13
我觉得可能是MARKii离子源能量不够造成的。 /KO!s,Nk MARK II离子源的特性是电流很大，电压不高。 nG1mx/w 离子束的密度（电流）够了，但是离子速度（电压）不够的话， l&dHH_m3 结晶大小还是没法改变。 Jb#*QJ= MP-A^QT 楼主的设备加热能到350度以上吗？

yangpaopao	2018-10-23 12:17
SI片不知道，熔石英镜片出过同样的问题，硅片加工完到你镀膜前肯定被污染过，或者酒精等擦过

dede	2019-10-14 16:03
顶一下

jakzhou	2019-11-17 18:37
镀膜温度过高，氧化钛高温下结晶发雾！

王少伟	2020-03-05 21:20
真空度不够

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