MgF2的镀膜参数讨论

一般情况下，如果是一个超宽带增透膜，就增透效果来说，最好的低折射率材料MgF2，但是关于MgF2的镀膜，温度基本上要300摄氏度左右最佳，参考资料是不能加离子源，300摄氏度镀膜抽真空时间会变得较长，且如果高折射率材料是Ta2O5的话，对于使用电子枪蒸发而言，必须进行离子源辅助才会得到基本无吸收薄膜，如果高折射率材料是Ti3O5的话，300摄氏度可能会有结晶，吸收也有可能会增加。这就跟MgF2的镀膜产生了冲突，我曾经进行过加APS源尝试，但无论怎么改变源的参数，还是避免不了吸收，我想看看大家是怎么做的，希望能得到一个最佳的做法。

ouyuu	2018-10-11 14:03
可以试下离子源（Ar+O2)， C,-V>bx g 离子源先只用Ar，等镀膜到了一定厚度（比如说1nm）再用部分的O2。 2o/}GIKj

875192871	2018-10-12 16:38
我们公司镀膜也有吸收把镀膜后产品烘烤下吸收会减弱很多目前是这样做的

光迹	2018-10-23 14:09
用钛酸镧搭配氟化镁

ouyuu	2018-10-24 22:26
如果你只有APS源的话，能量最高也就200V了， jKQnox+= 其实并不适用TiO2。 &nj@t>5Bs$ 换种材料吧

红尘尽碎	2019-05-12 21:17
学习中

17873333033	2020-03-16 19:35
H4-MGF2这两种药材可以做，或者用H4-SIO2这两种也可以，你加我微信详细的工艺沟通一下：17873333033

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