| xunjigd |
2018-09-15 12:19 |
OptiFDTD应用:用于光纤入波导耦合的硅纳米锥
介绍 r Ww.(l xh!aB6m8R 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导(160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波导中(注意:使用的尺寸减小了(1.5 umx1.5 umx105 um),以便达到更快的模拟时间) lJBZ0 为了精确模拟线性锥形硅波导,锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些,因此在这种情况下使用不均匀的网格。 9B1bq # 光源在时域中设置为CW(λ= 1.55 um),在空间域上设置为高斯横向分布,并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。 KU;m.{ 注意:模拟时间应足够长,以确保稳态结果 8BM[c;-{g` }719_DF [attachment=86578] &d[% J y0TV jA [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014)
8B7,qxZ [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003); HlX 2:\\ _K|?;j#x0k 3D FDTD仿真 ut9R]01: (:J
U 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导(160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波导中(注意:使用的尺寸减小了(1.5 umx1.5 umx105 um),以便达到更快的模拟时间) 1s#GY<< 为了精确模拟线性锥形硅波导,锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些,因此在这种情况下使用不均匀的网格。 `k'Dm:*`u4 光源在时域中设置为CW(λ= 1.55 um),在空间域上设置为高斯横向分布,并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。 ${, !L l7) 注意:模拟时间应足够长,以确保稳态结果 5?gZw;yiv% /Oa.@53tK6 [attachment=86579] DBzF\- 'lR f [attachment=86580] w'!J *uZ'MS 仿真结果 %Wb$qpa $*dY f [attachment=86581] t)*A# ("j*!Dsd 顶视图展示了锥形硅波导的有效耦合。 O6r.q&U J~rjI24 底部视图显示了不同位置的模式转换(左:25 um,中间:65 um,右:103 um) 4 {3<
` fm^)u" [attachment=86582] 5%(xZ
6 ogKd}qTov (来源:讯技光电)
|
|