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2018-09-15 12:19 |
OptiFDTD应用:用于光纤入波导耦合的硅纳米锥
介绍 O2:m)@ ti`z:8n7 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导(160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波导中(注意:使用的尺寸减小了(1.5 umx1.5 umx105 um),以便达到更快的模拟时间) BpDf4)| 为了精确模拟线性锥形硅波导,锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些,因此在这种情况下使用不均匀的网格。 bNFX+GA/ 光源在时域中设置为CW(λ= 1.55 um),在空间域上设置为高斯横向分布,并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。 |}QDC/ 注意:模拟时间应足够长,以确保稳态结果 I:]s/r7 Zr;.`(> [attachment=86578] GJy><'J,!> !!o69 [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014) *VIM!/YW [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003); :QUZ 7^u s8WA@)L 3D FDTD仿真 9C-F%te7 |B)e!# 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导(160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波导中(注意:使用的尺寸减小了(1.5 umx1.5 umx105 um),以便达到更快的模拟时间) +{]/
b%P 为了精确模拟线性锥形硅波导,锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些,因此在这种情况下使用不均匀的网格。 b-M[la}1" 光源在时域中设置为CW(λ= 1.55 um),在空间域上设置为高斯横向分布,并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。 g5V9fnb!d 注意:模拟时间应足够长,以确保稳态结果
_"%d9B )}~k7bb}Y [attachment=86579] 6%U1%; Fu )V2[TY [attachment=86580] T_[W=9 {Ylj] 仿真结果 >P>.j+o/ n6O1\}YB [attachment=86581] k:m~'r8z
uEVRk9nb 顶视图展示了锥形硅波导的有效耦合。 ^-~.L: }q @K4} cP 底部视图显示了不同位置的模式转换(左:25 um,中间:65 um,右:103 um) ?
4qN>uW= qoB [attachment=86582] ^5 F-7R8Q 8BE OE< (来源:讯技光电)
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