| xunjigd |
2018-09-15 12:19 |
OptiFDTD应用：用于光纤入波导耦合的硅纳米锥
介绍 Jo'~o Z$
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要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间） s'B$/qCkR
为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。 Bi-x
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光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。 [[s^rC<d
注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果 #n_t5 O[
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[1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014) t9~Y
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[2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003); =C#22xqQ.
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3D FDTD仿真 weH; ,e*r
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要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间） yRy^'E~
为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。 W
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光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。 y/Ui6D
注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果 x~?|bnM#3
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仿真结果 b
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底部视图显示了不同位置的模式转换（左：25 um，中间：65 um，右：103 um） ~--b#o {
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（来源：讯技光电）
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