| xunjigd |
2018-09-15 12:19 |
OptiFDTD应用:用于光纤入波导耦合的硅纳米锥
介绍 pW>.3pj VTi;y{ 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导(160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波导中(注意:使用的尺寸减小了(1.5 umx1.5 umx105 um),以便达到更快的模拟时间) ,4}s 1J# 为了精确模拟线性锥形硅波导,锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些,因此在这种情况下使用不均匀的网格。 /b6j<]H 光源在时域中设置为CW(λ= 1.55 um),在空间域上设置为高斯横向分布,并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。 o =F!&]+ 注意:模拟时间应足够长,以确保稳态结果 T( k:\z/ Zc*#LsQh.` [attachment=86578] U.<a d `_"?$ v2F [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014) gEq6[G [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003); nE:Wl D2io3Lo$ov 3D FDTD仿真 B74]hgK N]GF>kf: 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导(160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波导中(注意:使用的尺寸减小了(1.5 umx1.5 umx105 um),以便达到更快的模拟时间) GB>T3l" 为了精确模拟线性锥形硅波导,锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些,因此在这种情况下使用不均匀的网格。 n:Dr< q. 光源在时域中设置为CW(λ= 1.55 um),在空间域上设置为高斯横向分布,并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。 =H^~"16 注意:模拟时间应足够长,以确保稳态结果 \tdYTb. ;)sC{ "Jb [attachment=86579] B<~BX[ 8P&z@E{y [attachment=86580] 9A}y^=!` P%<MQg|k` 仿真结果 t3!~=U ("=24R=a [attachment=86581] _$oE'lat wqyF"^It" 顶视图展示了锥形硅波导的有效耦合。 yzX S{#\ j3>&Su>H4 底部视图显示了不同位置的模式转换(左:25 um,中间:65 um,右:103 um) g=Nde2d? !{ORFd [attachment=86582] EclsOBg pz.fZV (来源:讯技光电)
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