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2018-09-15 12:19 |
OptiFDTD应用:用于光纤入波导耦合的硅纳米锥
介绍 S
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p 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导(160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波导中(注意:使用的尺寸减小了(1.5 umx1.5 umx105 um),以便达到更快的模拟时间) .vm.g=-q 为了精确模拟线性锥形硅波导,锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些,因此在这种情况下使用不均匀的网格。 KBO{g:" 光源在时域中设置为CW(λ= 1.55 um),在空间域上设置为高斯横向分布,并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。 Vo; B#lK 注意:模拟时间应足够长,以确保稳态结果 nbhzLUK "4,Zox{^ [attachment=86578] :9=J=G* KXtc4wra [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014) wRATe
0' [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003); sgRD]SF TSp;VrOP 3D FDTD仿真 P_Bhec|#fT y=H\Z/= 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导(160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波导中(注意:使用的尺寸减小了(1.5 umx1.5 umx105 um),以便达到更快的模拟时间) `O'@TrI 为了精确模拟线性锥形硅波导,锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些,因此在这种情况下使用不均匀的网格。 eKT'd#o2R 光源在时域中设置为CW(λ= 1.55 um),在空间域上设置为高斯横向分布,并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。 *@C]\) 注意:模拟时间应足够长,以确保稳态结果 G9_M~N%a i,h) [attachment=86579] aV6l"A] [:MpOl-KIz [attachment=86580] `"#0\Wh Bp.z6x4 仿真结果 2 ~zo)G0 (K}Md~ [attachment=86581] *a2y 7H=^~J 顶视图展示了锥形硅波导的有效耦合。 >d{O1by=d9 q7VpKfA:M 底部视图显示了不同位置的模式转换(左:25 um,中间:65 um,右:103 um) Z\)emps 3o>.Z; [attachment=86582] R\+O.vX _&~y{;)S (来源:讯技光电)
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