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2018-09-15 12:19 |
OptiFDTD应用:用于光纤入波导耦合的硅纳米锥
介绍 L]L-000D( }
h|1H 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导(160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波导中(注意:使用的尺寸减小了(1.5 umx1.5 umx105 um),以便达到更快的模拟时间) jX^uNmb 为了精确模拟线性锥形硅波导,锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些,因此在这种情况下使用不均匀的网格。 [HB>\ 光源在时域中设置为CW(λ= 1.55 um),在空间域上设置为高斯横向分布,并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。 +K4d(!Sb 注意:模拟时间应足够长,以确保稳态结果 75~>[JM WL4{_X [attachment=86578] A4.Q\0 <syMrXk)R( [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014) 1hj']#vBu [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003); ~6`HJ ?yfk d:WD 3D FDTD仿真 _}.BZ[i B1>aR 7dsf 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导(160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波导中(注意:使用的尺寸减小了(1.5 umx1.5 umx105 um),以便达到更快的模拟时间) M]YK]VyG 为了精确模拟线性锥形硅波导,锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些,因此在这种情况下使用不均匀的网格。 q/,>UtRr 光源在时域中设置为CW(λ= 1.55 um),在空间域上设置为高斯横向分布,并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。 xJ>U_Gd 注意:模拟时间应足够长,以确保稳态结果 6q
._8% WpE\N0Yg [attachment=86579] x@3Ix,b' )Xxu-/- [attachment=86580] fOEw]B#@ smQ<lwA 仿真结果 oJJ2y tW;1 [attachment=86581] gT$`a ( /{Wu:e 顶视图展示了锥形硅波导的有效耦合。 Heatt?(RR 7Z0fMk 底部视图显示了不同位置的模式转换(左:25 um,中间:65 um,右:103 um) [V_Z9-f* bcFG$},k [attachment=86582] lAU`7uE :,03)[u{8 (来源:讯技光电)
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