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2018-09-15 12:19 |
OptiFDTD应用:用于光纤入波导耦合的硅纳米锥
介绍 ?XIB\7} tSVWO]< 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导(160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波导中(注意:使用的尺寸减小了(1.5 umx1.5 umx105 um),以便达到更快的模拟时间) SYE+A`a 为了精确模拟线性锥形硅波导,锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些,因此在这种情况下使用不均匀的网格。 (xdC'@& 光源在时域中设置为CW(λ= 1.55 um),在空间域上设置为高斯横向分布,并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。 ?l9j] 注意:模拟时间应足够长,以确保稳态结果 2if7|o$= yt@7l]I [attachment=86578] &pzf*|} TKe\Bi [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014) DEw>f%&4 [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003); 5(=5GkE)> \}Al85 3D FDTD仿真 -^aJ}[uaI Cvp!(<<gK 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导(160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波导中(注意:使用的尺寸减小了(1.5 umx1.5 umx105 um),以便达到更快的模拟时间) U
#C@&2 为了精确模拟线性锥形硅波导,锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些,因此在这种情况下使用不均匀的网格。 2<FEn$n[ 光源在时域中设置为CW(λ= 1.55 um),在空间域上设置为高斯横向分布,并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。 ;p+[R+ ) 注意:模拟时间应足够长,以确保稳态结果 'L@kZ T!7B0_ [attachment=86579] lsaA
vR3\E"Zi [attachment=86580] 48IrC_0j 0MI4"< 仿真结果 "vka7r x:K~?c3 [attachment=86581] m{;j
r< )Yu 顶视图展示了锥形硅波导的有效耦合。 ~ \]?5
nj BPuum 底部视图显示了不同位置的模式转换(左:25 um,中间:65 um,右:103 um) $ niG)@* ^B)f!HtU [attachment=86582] bFIM07 xG(xG%J (来源:讯技光电)
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