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2018-09-15 12:19 |
OptiFDTD应用:用于光纤入波导耦合的硅纳米锥
介绍 UnTvot6~ 78'3&,+si 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导(160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波导中(注意:使用的尺寸减小了(1.5 umx1.5 umx105 um),以便达到更快的模拟时间) mj& 4FQ#O* 为了精确模拟线性锥形硅波导,锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些,因此在这种情况下使用不均匀的网格。 n~yhX%=_Du 光源在时域中设置为CW(λ= 1.55 um),在空间域上设置为高斯横向分布,并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。 k
_Bz@^J 注意:模拟时间应足够长,以确保稳态结果
?D@WXE0a NW*$+u%/R [attachment=86578] XJ1<!tl M;X}v#l|XI [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014) 3jM+j_nR [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003); ;3O=lo:$~ .gwT?O, 3D FDTD仿真 r[&/*~xL >@|XY< 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导(160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波导中(注意:使用的尺寸减小了(1.5 umx1.5 umx105 um),以便达到更快的模拟时间) ]#O~lq 为了精确模拟线性锥形硅波导,锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些,因此在这种情况下使用不均匀的网格。 78zwu<ET 光源在时域中设置为CW(λ= 1.55 um),在空间域上设置为高斯横向分布,并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。 mk`#\=GE 注意:模拟时间应足够长,以确保稳态结果 ?Hf8<C} 3 Q$S|L C [attachment=86579] hLSas#B> ~hQTxLp [attachment=86580] -H](2} y}>bJ: 仿真结果 )WF*fcx{ VL@eR9}9K [attachment=86581] `yua?n AI*1kxR 顶视图展示了锥形硅波导的有效耦合。 .5YW>P V OO?BN! 底部视图显示了不同位置的模式转换(左:25 um,中间:65 um,右:103 um) ~&8bVA= . 2u^/yl [attachment=86582] a*UxRi8 /U,;]^ (来源:讯技光电)
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