光纤放大器的教程包含以下十个部分: lh`inAt)" 1、光纤中的稀土离子 !v\m%t|. 2、增益和泵浦吸收 AfvTStwr 3、稳态的自洽解 2=tPxO')B 4、放大的自发发射 Wo5G23:xz 5、正向和反向泵浦 YN4P
>d 6、用于大功率操作的双包层光纤 I%xrDiK97 7、纳秒脉冲光纤放大器 r$ue1bH}| 8、超短脉冲光纤放大器 e2w$":6> 9、光纤放大器噪声 2L.UEAt 10、多级光纤放大器 5n;|K]UW 接下来是Paschotta 博士关于光纤放大器教程的第7部分: S8j;oJ2d .UbmU^y| 第七部分:纳秒脉冲光纤放大器 Ne/jvWWN 产生高能纳秒脉冲的方法 ,u QLXF2 稀土掺杂的激光增益介质,如掺杂玻璃纤维,具有较长的上态寿命。这意味着我们可以在没有信号输入的情况下通过泵送这种设备在这种设备中存储大量能量,然后用一个短脉冲提取所有存储的能量。通过将存储的能量暂时集中到持续时间仅为例如几纳秒的脉冲,可以获得相当大的峰值功率。 gUDd2T# 传统上,强纳秒脉冲是由Q 开关 体激光器产生的。一种完全不同的方法是使用廉价的低功率脉冲种子源——例如,增益开关 激光二极管——并使用光纤放大器系统将其输出放大到相当大的能量。该方法的一个吸引人的特点是可以轻松改变脉冲重复率和输出脉冲能量,而无需改变脉冲持续时间,或改变脉冲持续时间和形状而不影响其他脉冲参数。此外,还可以将两种或多种不同波长的种子激光器结合起来。在调Q激光器中,这种灵活的参数控制是不可能的;例如,较低的脉冲能量通常意味着较长的脉冲。 }|f\'S 脉冲单模二极管激光器的低峰值功率(通常低于 1 W)意味着需要相当高的放大器增益才能达到微焦甚至毫焦。使用单个放大器级,例如提供 40 dB 增益,我们可以输出几十微焦耳。事实上,许多应用需要更高的脉冲能量,因此需要至少两个放大器级。 xD#PM |I ]!H*oP8a* 光纤非线性的局限性 Jl3l\I' 虽然从光纤中获得大量增益相对容易,但光纤非线性会带来很多麻烦: `xe[\Z2 • 一个硬限制来自于几兆瓦峰值功率的灾难性自聚焦。如果一个人试图超过这个限制,光纤就会被一枪摧毁。值得注意的是,它不能通过增加光纤的有效模式面积来增加。 9,5v %HZ • 在自聚焦变得至关重要之前,自相位调制(SPM) 可能会导致严重的影响,尽管不会导致自毁。它可以显着拓宽光谱——但这对于某些应用来说并不重要,例如在激光材料加工中。 +AyQ4Q(-o • 对于窄带光,受激布里渊散射(SBS) 是一个非常有限的因素。即使具有1000 μm 2的相对较大的有效模式面积,也已经达到了 ≈90 dB 的最大可接受布里渊增益,例如,在 1 m 的光纤上仅 400 W(对于足够窄的脉冲)。对于太高的 SBS 增益,会产生强烈的非线性反射,即,功率被送回种子激光器并可能杀死它。如果可以产生具有数千兆赫甚至更高的大光带宽 的种子脉冲,则可以大大增加 SBS 功率限制。不幸的是,使用激光二极管不容易控制 Y5LESZWo 独自的。请注意,仅具有多个峰的光谱是不够的,相隔数千兆赫;应该避免任何波长的任何高功率谱密度。超发光二极管在这方面会更好,但它的峰值功率更低。 6, ag\ • 最后,受激拉曼散射(SRS) 可能会出现问题。如果拉曼增益超过大约 40 dB,则大量功率将传输到更长波长的组件,通常相对于信号波长偏移数十纳米。通常,如果模式面积相对较大,则该问题始于几米光纤上大约 100 kW 的峰值功率。 'ntb.S) 具有较大模式面积的光纤有助于提高所有这些限制,但自聚焦限制除外。不幸的是,实际上可实现的模式区域存在限制,因为最终会遇到太弱的引导,并且对弯曲损耗和光纤缺陷过于敏感。 z2t;!]"'l U0u @[9! 增益饱和带来的限制 "Ks%! 在将脉冲放大到高能量时,我们还需要考虑增益饱和。对于具有小模式面积的放大器光纤,增益的饱和能量通常在几十微焦的数量级。对于大模式区域,可以将其推至数百微焦耳。然而,放大脉冲的理想能量通常更高,这会导致严重的增益饱和效应:放大器增益在脉冲期间大幅下降。由于该增益会强烈影响输出功率,因此脉冲形状可能会严重失真。图 1 显示了一个示例情况,其中输出脉冲能量为 112 μJ,增益饱和能量为 32 μJ。 9.e?<u*-z 图 1: 掺镱光纤放大器中的输出功率和镱激发与时间的关系。点划线曲线显示了在没有增益饱和的假设情况下的输出功率。实际上,由于增益在放大期间下降,因此获得了较低失真的脉冲。
y<PPO6u7 另一方面,如果我们想用单个脉冲提取大部分存储的能量,当然必须在强增益饱和状态下操作。为了有效提取,放大器输入端的增益饱和应该已经很强。放大器系统的最终放大器级通常会出现这种情况。对于该方案,一种设计为相对较低的增益,但大量的脉冲失真仍然是不可避免的。请注意,与矩形形状相比,对于形状更平滑的脉冲(例如,具有高斯形状的脉冲),这些不太明显且问题较少。 sAk~`(:4! s9'g'O5 示例:用于纳秒脉冲的 Yb 掺杂放大器 @FkNT~OZ 作为各种限制的数值示例,我们可以考虑在 1060 nm 处具有 100 mW 峰值功率的超高斯(接近矩形)100 ns 脉冲的双级 Yb 掺杂放大器。种子脉冲能量为 10 nJ。 lsW.j#yE! 第一放大级有一根小模面积为 80 μm 2的光纤,因此我们可以在 500 mW 的低泵浦功率下获得高增益,这可以从通常的光纤耦合激光二极管中获得。种子脉冲可以放大到 4.5 μJ 的能量,远低于 52 μJ 的饱和能量。在这些功率水平上,光纤非线性也不是问题。因此,脉冲失真很弱,并且在低脉冲重复率下功率效率较低——这对于低功率前置放大器通常无关紧要。顺便说一句,该前置放大器的可实现增益受 ASE 限制,对于较短的信号波长(例如 1030 nm)可能更高。 QHr
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对于第二阶段,使用具有四倍大模式面积的双包层光纤(见第 6 部分),因为知道增益饱和会很强,并且该阶段不需要高增益效率。在反向泵浦功率为 5 W 的情况下,我们获得了 32 dB 的小信号,同样受 ASE 限制。由于核心稍微多模,ASE得到了增强。 [.<