主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: >~nc7j
u • 定义MMI耦合器的材料; G2 • 定义布局设定; zqDG#}3f^ • 创建一个MMI耦合器; Yv!r>\#0S • 插入输入面; .4t-5,7s% • 运行模拟; L~WC9xguDl • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 $aY*1UVq @T
}p. 1. 定义MMI耦合器的材料 f vAF0
a 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: _o'3v=5T 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ =;) M+" 6r|Bi HP 图1.初始性能对话框
`8.Oc;*zu 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” <9BM% @(~m. p| 图2.轮廓设计窗口
&!adW@y 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 0~)_/yx?S
3U_,4qf 2l8TX #K 图3.电介质材料创建窗口
/+11`B09 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: )\!-n]+A − Name : Guide 5D~>Ed; − Refractive Index (Re) : 3.3 n#NE.ap$&, − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 r8k.I4 ]+OHxCj: 图4.创建Guide材料
4!I;U>b b 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: pejG%pJ − Name : Cladding .5t|FJ]`$ − Refractive Index (Re) : 3.27 "1-|ahW − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ';CL;A ; kOQq+_Y
图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 7[b]%i
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: jP{W|9@( − Name : Guide_Channel T##_?=22I − 2D profile definition: Guide _(TYR* − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 t$*V*gK{ ^T{ww=/v 图6.构建通道
2. 定义布局设定 <+/:}S4w)
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: Zl:Z31
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 Mzbbr57n
− Width:2.8
JyfWy
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 cc$L56q
− Profile:Channel-Guide :'t+*{ff
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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Bl
>)G X\l
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: gmU0/z3&
− Length:5300 1>$}N?u:T
− Width:60 kJOSGrg
图8.设置晶圆尺寸
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IIrXI8'}
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: MmvMuX]#)
− Material:Cladding e@GR[0~
− 点击OK以激活布局窗口 M<sY_<z
图9.晶圆材料设置
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Za&.sg3RG
4) 布局窗口 B F,rZZL
图10.默认情况下布局窗口显示
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=N+Ou5D
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: o
C5}[cYD`
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 #fb <\!iza
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 fuwv,[m
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 "(U%Vg|)
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 /{j")
图12.最终布局显示
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RgPY,\_9+
3. 创建一个MMI耦合器 n1Y3b~E?E
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: T\Zq/Z\
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 bay7%[BLB
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 xz#.3|_('
图13 .绘制第一个线性波动
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QQ:2987619807
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