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    [分享]OptiBPM:创建一个简单的多模干涉(MMI)耦合器 [复制链接]

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    离线infotek
     
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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2021-05-08
    主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: iF#}t(CrH  
    • 定义MMI耦合器的材料 uPv;y!Lsa@  
    • 定义布局设定; 'k-u9  
    • 创建一个MMI耦合器; %{N$1ht^  
    • 插入输入面; Q|j@#@O1  
    • 运行模拟 G1#Bb5q:  
    • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 %=NM_5a}]  
    |xsV(jK8  
    1. 定义MMI耦合器的材料 $nGbT4sc  
    为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: Vq\..!y  
    1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ d I#8CO  
    GvZac  
    图1.初始性能对话框
    [6,]9|~  
    2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” :f?,]|]+-  
    1K? & J2  
    图2.轮廓设计窗口
    .T#y N\S1  
    3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 g:.,}L  
     qrkRD*a  
    .yK\&q[<  
    图3.电介质材料创建窗口
    |"Xi%CQ2  
    4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: Y2=Brtc[@  
    − Name : Guide RS||KA])J  
    − Refractive Index (Re) : 3.3 uh C=  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 dPH! V6r  
    dVsAX(  
    图4.创建Guide材料
    9Th32}H  
    5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: ctc`^#q  
    − Name : Cladding we:5gK &  
    − Refractive Index (Re) : 3.27 `L"p)5H  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 m]-v IUpb  
    K+h9bI/Sf  
          
    图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 }> !"SU:d  
    6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: r7Q:l ?F2  
    − Name : Guide_Channel v' 9(et  
    − 2D profile definition: Guide }GoOE=rhY  
    − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 h87L8qh9  
    #5ohmp,u  
    图6.构建通道
    2. 定义布局设定 mf*9^}l+Zn  
    为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: Lilk8|?#W  
    1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 ^O$[Y9~*  
    − Width:2.8 ~P]HG;$?n  
    注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 shDt&_n  
    − Profile:Channel-Guide o%4&1^ Vg  
    图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
    ohc/.5Kl  
    wCq)w=,  
    2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: TN |{P  
    − Length:5300 YA;8uMqh;  
    − Width:60 WnJLX ^;  
    图8.设置晶圆尺寸
    $@u^Jt, ?  
    j quSR=  
    3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: zNsL^;uT  
    − Material:Cladding DX%8. @  
    − 点击OK以激活布局窗口 Ghq'k:K,  
    图9.晶圆材料设置
    +3o)L?:g  
    St3(1mApl  
    4) 布局窗口 *(\;}JF-  
    图10.默认情况下布局窗口显示
    j0pvLZjM  
    >+; b>  
    5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: c>U{,z  
    − View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 ek{PA!9Sk  
    − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 %8} ksl07  
    − 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 S"KTL*9D  
    图11.调整Z方向和X方向的显示比率 o$blPTN  
    图12.最终布局显示
    r;%zG Fp  
    u'~b<@wHB  
    3. 创建一个MMI耦合器 @8<uAu%  
    为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: -4^@)~Y  
    1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 VI|DM x   
    2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 /qkIoF2  
    图13 .绘制第一个线性波动
    vZ nO  
    QQ:2987619807
    |Z7bd^  
     
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