主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: &VCg`r-{~ • 定义MMI耦合器的材料; %'X7T^uE • 定义布局设定; E 8$S0u;` • 创建一个MMI耦合器; s`v$r,N0 • 插入输入面; x.Ny@l%] • 运行模拟; bl10kI:F • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
Bw+?MdS -V"W 1. 定义MMI耦合器的材料 jWvi%Iqi 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: 9`^(M^|c 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ =jxy4`oF f4f)9n 图1.初始性能对话框
QTN24 q4 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” z7P~SM nC?Lz1re 图2.轮廓设计窗口
f+)LVT8p 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 (KPD`l8.
GZuWAa JIYzk]Tj 图3.电介质材料创建窗口
GlC (uhCpV 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: gg#lI| − Name : Guide tt6GtYrC 1 − Refractive Index (Re) : 3.3 X68.*VHh0 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ^;[_CF_ r%$\Na'' 图4.创建Guide材料
LZ&I<ID`- 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: +n%8*F& − Name : Cladding +o0yx U
7t − Refractive Index (Re) : 3.27 TnKOr~ @* − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 cBOt=vg,5 ~*^o[~x]\ 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 Cy5iEI#
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: 0pH$MkQ − Name : Guide_Channel 3rJ LLYR − 2D profile definition: Guide tWaGCxaE − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 F,K))325 Z0XQ|gkH 图6.构建通道
2. 定义布局设定 ,C_MB1u
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: U.I7p
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 d@b2XCh<K
− Width:2.8 B|M@o^Tf
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 Dk2Zl
− Profile:Channel-Guide 4N3O<)C)@
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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