芯片焊接的失效机理

目的：芯片与管座牢固粘结 %EB;1
  
要求：芯片与管座之间形成良好的欧姆接触并有良好的导电性。 #f9qlM32  
方式：银浆烧结，合金（共晶）粘结，导电胶烧结，环氧树脂粘结，高温聚酰亚胺粘结。 SbJh(V-pr  
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对于银浆烧结： 3qcpf:  
1，银浆问题 oF&IC j0  
2，杂质问题 hE5G!@1F  
3，硅的氧化及镀镍，镀银的不良。 2e\Kw+(>{  
4，银浆与基材结合力差引起的问题。 6+#,=!hF{  
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对于合金粘结： u p~@?t2  
1，金-铅系统 MZiF];OY  
2，锡-铅系统 agTK=  
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引线键合的失效机理： ~6fRS2u  
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引线键合的主要方法： %rFllb7  
   热压焊，超声焊，面键合。
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引线：铝-铝超声焊，金-铝热压焊（包括楔形和球焊） W#Cq6N  
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工艺问题。金属互化物使金铝系统失效。 5z[6rT=a  
热循环使引线疲劳。沾污造成引线腐蚀而开路。 _6/Qp`s  
内涂料开裂造成断丝。压焊应力过大造成失效。 ~:s!].H  
外引线的失效。 "#J}A0  
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开短路的可能原因： 0Sz/c+ 6  
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封装工艺方面 `v<f}  
  表现为断丝，塌丝，碰丝，内引脚相碰，点脱，球脱，球飘等。占封装造成开短路的90%以上。 ;q^,[(8  
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芯片表面水汽吸附。 t>-XT|lV  
钝化层不良。 0Mq6yu^  
芯片氧化层不良。 "vvFq ,c  
内应力使芯片产生芯裂，金属化层断裂，或金丝脱落。 tl2Lq0  
电迁移。 L7[X|zmy*x  
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铝硅共溶。 ),z,LU Yf  
金属间化合物。
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芯片焊接疲劳。 hkLw&;WJr  
热不匹配。 mURX I'JkX  
外来异物。 <,#rtVO$  
氧化层台阶处金属膜断路。