介绍
J8)#PY[i4 h!:~f-@j4 要
模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间）
/3:q#2'v 为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。
OP|8S k6
r 光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
Z(_ZAB%+D 注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果
`8>Py~ d[^~'V 
9n5<]Q ( nn9wdt@.] [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014)
H0R&2#YD [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003);
{Gw.l." @b~fIW_3> 3D FDTD仿真
<u:WlaS &o97u4xi 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间）
Kmv+1 T0, 为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。
g{9+O7q 光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
b-*3 2Y% 注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果
dwv 6 ;x ;6{@^ 
9{8GP >ap1"n9k 
&gE 75B STw#lU) %( 仿真结果
^3FE\V/=
~ Yngkt 
aCxE5$~$ (%:>T Q( 顶视图展示了锥形硅波导的有效
耦合。
T,OwM\`.X{ 4r0b)Y &I 底部视图显示了不同位置的模式转换（左：25 um，中间：65 um，右：103 um）
:4T("a5aM $<|l E/_] 
Q;J`Q wkH I]y.8~xs （来源：讯技
光电）
