介绍
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模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间）
,^G+ <T6 为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。
%w^*7Oi 光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
.L^*9Y0) 注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果
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/ }6I3n i6HRG\9nU [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014)
oZ*?Uh * [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003);
h"ZIh= j@ ht%qjE 3D FDTD仿真
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pC|R,^ 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间）
"9P @bA 为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。
DyqqY$ vH( 光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
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I8 !>7`L ,G0"T~ 顶视图展示了锥形硅波导的有效
耦合。
6MM\nIU)/ 0]5X Tc3r 底部视图显示了不同位置的模式转换（左：25 um，中间：65 um，右：103 um）
L E\rc A SAq .W"ri 
rSv,;v \2; !} （来源：讯技
光电）
