回帖：使用半导体光刻工艺量产平面透镜，主要包含以下关键环节：
设计：依据用途，利用光学设计软件确定透镜光学参数，生成表面轮廓数据，再据此设计光刻掩模图案，要考虑光刻工艺分辨率。
材料准备：选择合适衬底，如硅、石英等，清洗预处理。依光刻工艺和图案选光刻胶，控制涂胶厚度并软烘。
光刻工艺：经涂胶、曝光、显影等步骤。涂胶用旋转法，软烘去溶剂；曝光选合适光源与剂量；显影依光刻胶类型选显影液与时间。可按需坚膜。
蚀刻（可选）：用干蚀刻（如 RIE）或湿蚀刻，将光刻胶图案转至衬底，控制蚀刻速率与选择性。
后处理：可填充材料改变光学性能，小心脱模，清洗后进行光学性能与表面形貌检测，确保质量后量产。